采用口徑耦合饋電的5.8GHz天線(xiàn)的設計
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2 對于饋電結構的分析
對于使用單個(gè)縫隙進(jìn)行口徑耦合的線(xiàn)極化貼片天線(xiàn)來(lái)說(shuō)，Himdi提出的傳輸線(xiàn)模型已經(jīng)被證實(shí)具有良好的適用性。而在文章當中，通過(guò)將十字縫隙等效成為互相垂直的兩個(gè)單獨的縫隙，也就是將天線(xiàn)等效成為兩個(gè)互相正交的線(xiàn)極化天線(xiàn)，我們可以將這種方法應用在如圖一所示的圓極化天線(xiàn)的分析當中。
十字形縫隙在貼片當中分別激勵出相互正交的兩個(gè)模，我們可以在微帶貼片天線(xiàn)當中將這兩種模獨立地進(jìn)行分析。天線(xiàn)的等效傳輸線(xiàn)模型如圖二所示。
如圖所示，R為貼片天線(xiàn)的半徑。RP+XP為天線(xiàn)的輻射阻抗。ZCP為貼片的特性阻抗。γ為傳輸常數。由圖中可以看出，ZP是由天線(xiàn)的耦合縫隙決定的。而這兩個(gè)縫隙各自的阻抗可以由下式給出：
式中的z和k分別為縫隙的特性阻抗和波數。
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