基于TSC控制技術(shù)的可控硅開(kāi)關(guān)分析
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在確定了可控硅的型號后，在電路中串聯(lián)不同大小的電抗，觀(guān)察消弧線(xiàn)圈投切電容器時(shí)整個(gè)電路的電壓波形。本文引用地址：http://dyxdggzs.com/article/159291.htm
經(jīng)實(shí)驗比較后發(fā)現，當串聯(lián)電抗器的感抗值占同組電容器的容抗值約6％時(shí)電壓波形效果較好，感抗過(guò)大或過(guò)小得到的電壓波形效果較差。
另外，串聯(lián)電阻可解決投切電容器時(shí)電壓波形的畸變問(wèn)題，但在實(shí)際應用中電阻存在較大的發(fā)熱和功率損耗問(wèn)題，故串聯(lián)電阻方案不可行。
由本實(shí)驗可總結出，空心電感的存在能有效解決問(wèn)題，因為電感具有抑制電流突變的特點(diǎn)，實(shí)驗也證實(shí)了這一點(diǎn)。
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