一種基于MMIC技術(shù)的S波段GaAs單刀單擲開(kāi)關(guān)

其中負的邏輯電平由+5 V電平通過(guò)轉換芯片MAX660來(lái)實(shí)現，采用負壓驅動(dòng)的理由是相比較于正壓控制的砷化鎵開(kāi)關(guān)，開(kāi)關(guān)的響應速度大大提高。TTL器件采用74HCT04，信號控制端接入一個(gè)穩定電壓為5．1 V的穩壓管。該驅動(dòng)電路實(shí)現了兩控制引腳輸入電平的反相。
4．3 結構設計
結構設計是整機設計的一個(gè)難點(diǎn)，結構設計不但影響整機的成本和可靠性，對整機設備的技術(shù)指標也有很大的影響，采用SMA插座作為射頻信號端口，通過(guò)側面開(kāi)槽微帶搭焊引出，供電則采用穿芯電容搭焊引出，開(kāi)關(guān)的腔體和整機采用一體化設計。
4．4 測試結果
通過(guò)以上工藝制造的開(kāi)關(guān)，通過(guò)整機實(shí)際測量，頻率2～4 GHz時(shí)隔離度達到48dB插入損耗不大于1．7dB。當控制信號脈寬為50ns，輸入信號頻率為3．1GHz時(shí)，輸出波形如圖3所示。其上升沿為4ns，下降沿為2．4ns。

5 結語(yǔ)
本文基于MMIC技術(shù)和微帶線(xiàn)特性阻抗理論設計出一種SPST射頻開(kāi)關(guān)，該開(kāi)關(guān)模塊在使用過(guò)程中，工作穩定，性能良好，符合測試系統的要求，有極高的實(shí)用價(jià)值。