大尺寸屏幕手機背光面臨的主要問(wèn)題與解決方案

圖 2.20mA輸出的四模分數電荷泵與電感升壓型背光驅動(dòng)效率曲線(xiàn)對比圖。

　　從圖2中可以看到，輸入電壓在3.0～4.2V的手機應用場(chǎng)合，電感升壓型背光驅動(dòng)的轉換效率(藍色曲線(xiàn))和AW9670QNR的轉換效率(紫紅色曲線(xiàn))基本上接近，平均效率都接近80%。若亮度變暗，LED電流減小，四模分數倍電荷泵背光驅動(dòng)的轉換效率會(huì )進(jìn)一步提高，而電感升壓型背光驅動(dòng)的轉換效率卻隨電流變小而減小，圖3是10mA輸出時(shí)電感升壓型背光驅動(dòng)和AW9670QNR的轉換效率曲線(xiàn)對比圖，由于A(yíng)W9670QNR大部分時(shí)間都是工作在高效率的1倍模式，轉換效率要明顯高于電感升壓型背光驅動(dòng)的轉換效率?！　?/p>本文引用地址：http://dyxdggzs.com/article/139460.htm

圖 3.10mA輸出的四模分數電荷泵與電感升壓型背光驅動(dòng)效率曲線(xiàn)對比圖。

　　散熱問(wèn)題

　　手機基帶芯片的主頻不斷提高、增加的功能越來(lái)越多，手機的功耗越來(lái)越大，散熱問(wèn)題越來(lái)越成為手機設計人員在產(chǎn)品設計的初期需要認真考慮的一個(gè)關(guān)鍵問(wèn)題。

　　手機的熱設計需要對主要熱源器件進(jìn)行功耗分析、計算熱源器件的熱距離布局面積以及環(huán)境溫度分析等。PCB布局時(shí)需要遵循一些基本的熱設計原則，比如發(fā)熱較高的器件盡量不放在PCB的角落或者邊緣，增加高發(fā)熱器件下面的鋪地層面積、增加屏蔽罩等。

　　由于手機屏幕的不斷增大，手機背光模塊的功耗占手機整體功耗的比例也越來(lái)越大，手機設計人員也需要在產(chǎn)品設計初期考慮背光驅動(dòng)模塊的熱設計。除了背光驅動(dòng)模的PCB熱設計考慮和選擇效率更高的背光驅動(dòng)芯片外，手機設計人員在選擇背光驅動(dòng)芯片時(shí)還需要特別背光驅動(dòng)芯片的封裝熱阻。

　　芯片的封裝熱阻是衡量封裝將管芯產(chǎn)生的熱量傳導至電路板或周?chē)h(huán)境的能力的一個(gè)標準。封裝熱阻和封裝材料(引線(xiàn)框架、模塑材料、管芯粘接材料)、封裝設計(管芯厚度、裸焊盤(pán)、內部散熱過(guò)孔、所用金屬材料的熱傳導率)有關(guān)。封裝熱阻越大，則表示芯片內部的熱不容易傳導，芯片的溫度越高。芯片封裝熱阻一般用θJA來(lái)表示，單位是℃/W，芯片封裝熱阻的計算公式為：
　　θJA=(TJ-TA)/PD
　　其中TJ為芯片結溫，TA為環(huán)境溫度，PD為芯片內部功耗。已知芯片的封裝熱阻，則可以根據芯片內部的功耗和環(huán)境溫度算出芯片的結溫。例如一個(gè)芯片的封裝熱阻為100℃/W，環(huán)境溫度為25℃時(shí)，若芯片內部功耗為1W，則芯片的結溫和環(huán)境溫度差別是100℃，芯片結溫為125℃。

　　背光驅動(dòng)芯片常見(jiàn)的封裝和封裝熱阻如表2：　　

　　由于沒(méi)有散熱片，SOT23-5L(6L)封裝的封裝熱阻要遠大于其他四種封裝的封裝熱阻，芯片結溫明顯要高于其他四種封裝。比如在環(huán)境溫度為25℃時(shí)，對于輸出驅動(dòng)10顆LED，輸出功率大致在0.6W左右(LED導通壓降3.0V，每路LED電流為20mA)，若轉換效率為75%，則芯片內部功耗為0.2W，四種封裝結溫分別為77℃、40.2℃、35.4℃和34℃。相比采用SOT23-5L(6L)封裝技術(shù)的電感升壓型背光，采用DFN2x2-8L的電感升壓型背光和并聯(lián)背光驅動(dòng)的芯片結溫優(yōu)勢更明顯。