電容觸摸屏的堆疊技術(shù)及其變化趨勢

　　2. 條形狀圖形
　　顯然條形狀圖形不能使用一層或1.5層的堆疊，它必須使用2層的堆疊。通常它使用2層的GFF堆疊方式。對于條形狀圖形，分寬條和窄條，一般地將寬條作為T(mén)x放在觸摸屏的短邊上并位于2層的下層，而將窄條作為Rx放在觸摸屏的長(cháng)邊上并位于2層的上層。這樣放置的好處是Tx感應條有寬的寬度和低的電阻，放在2層ITO的下層，對LCD的噪聲有比較好的屏蔽效果。Rx使用窄長(cháng)條又可以有幾種圖形，它們分別是單條、雙條和三條，圖6是一個(gè)Rx為三條的條形狀圖形。相比較單條和雙條的Rx圖形，三條的Rx圖形與手指之間有更多的電場(chǎng)信號耦合所以會(huì )有更好信號靈敏度。還有，兩層ITO之間襯底材料有適當的厚度對GFF堆疊方式的觸摸屏至關(guān)重要，如果這個(gè)厚度太小的話(huà)，將影響手指信號的靈敏度?！　?/p>本文引用地址：http://dyxdggzs.com/article/139342.htm

　　3. 陸洋棋形狀圖形
　　陸洋棋形狀圖形是典型的使用單層ITO堆疊的圖形。是成本最低的觸摸屏堆疊圖形。嚴格地講，陸洋棋形狀圖形的觸摸屏不能算是多點(diǎn)觸摸屏，雖然它在Y方向可以支持多點(diǎn)觸摸，但在 X方向它使用兩個(gè)感應器信號強度的比例來(lái)計算手指在X方向的位置坐標，所以在X方向，它不能支持同時(shí)有兩點(diǎn)及兩點(diǎn)以上的觸摸。陸洋棋形狀圖形有兩叉和三叉圖形，圖7是一個(gè)三叉的陸洋棋形狀圖形示意圖。 比較而言，兩叉的圖形在Y方向有比較高手指定位精度但有更多的感應器數量，需要芯片有較多的感應IO口支持;而三叉的圖形在X方向有比較高手指定位精度，僅需要較少的感應IO口的芯片的支持。對陸洋棋形狀圖形觸摸屏的一個(gè)限制是這種觸摸屏的尺寸不能大于4寸，因為陸洋棋形狀圖形中叉的角度只能在一個(gè)較小的范圍里變化，尺寸大了以后，叉的角度將變小，將影響X方向的手指定位。還有陸洋棋形狀圖形在邊沿區域的手指定位精度也不太理想。

　　4. 長(cháng)城形狀圖形
　　長(cháng)城形狀圖形是真正的可以在單層ITO堆疊上實(shí)現多觸點(diǎn)觸摸的圖形。它似乎實(shí)現了很多人的夢(mèng)想，那就是在最低的成本上實(shí)現多觸點(diǎn)觸摸的圖形堆疊。誠然，在小尺寸(通常小于3.5英寸)并且用玻璃作為襯底的堆疊(或SOL的堆疊)是切實(shí)可行的。然而，制造商為了追求最低的成本，更希望采用膜作為襯底。當用膜作為襯底并且在大于3.5英寸的屏上使用長(cháng)城形狀圖形便出現了兩個(gè)的問(wèn)題。第一個(gè)問(wèn)題是感應器與FPC之間的綁定條的數目變得非常大。參考圖8，長(cháng)城形狀圖形將水平方向的感應塊互連引出到感應區域的外面來(lái)互連，通常這個(gè)互連是在FPC實(shí)現，而綁定條的數目將是[Ntx+Ntx*(Nrx+1)+1]。小刮號里面的1是因為每一列都需要插入一根地線(xiàn)以避免不必要的Tx和Rx之間的耦合。如果我們假定有12個(gè)Tx和20個(gè)Rx，綁定條的數目將是[12+12*(20+1)+1]=265。如此多的綁定條要做在一條短邊上，對許多制造商來(lái)講是一個(gè)挑戰。 第二個(gè)問(wèn)題每一列的總的Rx走線(xiàn)寬度(也被稱(chēng)為死區寬度)變得足夠大，嚴重影響手指橫向定位的精度。因為膜作為襯底的ITO方阻要比玻璃作為襯底的ITO方阻高的多，并且膜作為襯底的ITO的最小線(xiàn)寬和線(xiàn)間距也要比玻璃作為襯底的ITO的最小線(xiàn)寬和線(xiàn)間距大，為了避免最遠的Rx的引出線(xiàn)(也是最長(cháng)的)的電阻不超過(guò)一個(gè)限定的值，只有增加比較長(cháng)的Rx的引出線(xiàn)的寬度。這樣就導致每一列的總的Rx走線(xiàn)寬度變得足夠大。針對這兩個(gè)問(wèn)題，雖然已經(jīng)有了一些對策，然而所有這些對策不僅增加了生產(chǎn)的工序也增加了材料，最終還是不同程度地增加了成本。盡管這樣，采用長(cháng)城形狀圖形并用SOL方式堆疊的觸摸屏的厚度可以薄到1mm以下，還是受到很多用戶(hù)的歡迎?！　?/p>

　　五.堆疊技術(shù)變化趨勢

　　觸摸屏和LCD屏合二為一是觸摸屏制造廠(chǎng)商的理想。因為大多數觸摸屏生產(chǎn)廠(chǎng)也是LCD屏的生產(chǎn)廠(chǎng)。兩屏合一屏，不僅可以簡(jiǎn)化整屏的生產(chǎn)工藝，降低整屏的成本，也簡(jiǎn)化了整屏交易的供應鏈。為了兩屏合一屏，On-cell和In-cell的堆疊技術(shù)就運因而生了。On-cell和In-cell的堆疊技術(shù)通過(guò)將觸摸感應器整合到液晶顯示中，不再需要一個(gè)獨立的觸摸感應層，從而讓智能手機或其他電子設備的屏幕變得更輕薄。(參考圖9和圖10)。然而對于On-cell和In-cell的堆疊技術(shù)最大的挑戰是如何克服來(lái)自L(fǎng)CD的噪聲干擾和怎樣應對自電容的急劇升高而導致的信號衰減?！　?/p>

　　在傳統的投影電容觸摸屏的堆疊中，我們通?？梢杂迷黾悠帘螌踊蛟贚CD與觸摸屏之間使用一定空氣間隙(0.1~0.5mm)來(lái)隔離或衰減LCD的噪聲，在On-cell和In-cell的堆疊中這兩種方法肯定都不能被實(shí)施。 LCD的噪聲將被直接耦合到觸摸感應層。

　　在On-cell和In-cell的堆疊中尤其是In-cell的堆疊中，因為感應層和LCD的公共電極層的間距非常地小，導致感應器的自電容大幅度增加。自電容大幅度增加使得感應器作為T(mén)x激勵信號負載的交流阻抗大幅度減小，交流負載大幅增加，Rx的信號被嚴重衰減。這對提供Tx激勵信號的芯片的驅動(dòng)能力和功耗是一個(gè)嚴峻的挑戰。同時(shí)，自電容大幅度增加也增加了感應條的RC延遲，可能導致出現感應條近端和遠端信號靈敏度的不一致。

　　雖然有上面所說(shuō)的挑戰，但新技術(shù)的發(fā)展最終將解決這些問(wèn)題。譬如，Cypress的觸摸感應技術(shù)方案已經(jīng)通過(guò)對LCD噪聲的偵聽(tīng)可以在實(shí)施觸摸感應掃描時(shí)避開(kāi)LCD的噪聲來(lái)克服來(lái)自L(fǎng)CD的噪聲干擾。另外Cypress的觸摸感應技術(shù)方案還可以在工作電壓為2.8V的情況下，在芯片內部將Tx的驅動(dòng)電壓提升到最大10V，這大大提高了Tx激勵信號的驅動(dòng)能力。為應對On-cell和In-cell的堆疊技術(shù)帶來(lái)的挑戰做出了一些有益的工作。當然，還會(huì )有其他的新技術(shù)會(huì )被開(kāi)發(fā)出來(lái)或者正在被開(kāi)發(fā)出來(lái)來(lái)解決這些問(wèn)題。毫無(wú)疑問(wèn)，On-cell和In-cell的堆疊技術(shù)已經(jīng)成為堆疊技術(shù)發(fā)展的一個(gè)趨勢。