FSI鎳鉑薄膜工藝成功導入65納米生產(chǎn)工藝

FSI國際有限公司（Nasdaq: FSII）宣布：其PlatNiStrip?鎳-鉑去除工藝已經(jīng)通過(guò)幾家全球最大的芯片制造商驗證，并且被他們應用在65nm技術(shù)器件的生產(chǎn)中。自2005年3月發(fā)布以來(lái)，FSI的PlatNiStrip工藝專(zhuān)門(mén)設計來(lái)為芯片制造商提供先進(jìn)的自對準多晶硅化物結構(salicide formation)，該項工藝已經(jīng)引起了業(yè)界廣泛的關(guān)注。

"客戶(hù)們對我們能夠在他們的制造生產(chǎn)中快速地實(shí)現該工藝印象深刻，因此他們現在正使用鎳-鉑去除工藝制造65nm 的產(chǎn)品，"FSI董事長(cháng)兼首席執行官Don Mitchell先生說(shuō)。"在FSI已有的平臺上不斷地提供并且快速加入先進(jìn)的工藝能力，進(jìn)一步鞏固了我們在表面處理領(lǐng)域技術(shù)領(lǐng)導者和高性能價(jià)格比伙伴的行業(yè)地位。"

IC 制造廠(chǎng)商已經(jīng)通過(guò)增加少量的鉑來(lái)提高鎳硅化物薄膜的熱穩定性。但是，常用的去除未發(fā)生反應鎳的辦法，在選擇性地去除未發(fā)生反應鉑的時(shí)候是無(wú)效的，這樣會(huì )在晶圓的表面留下了鉑殘留物。FSI的PlatNiStrip鎳-鉑去除工藝，是一種應用現場(chǎng)(point-of-use)配制混合酸的方案，能夠同時(shí)去除鎳和鉑而沒(méi)有殘留物，同時(shí)對硅化物、氧化物和氮化物具有高度選擇性，從而促成了鎳-鉑硅化物薄膜的整合。

晶圓廠(chǎng)的數據表明，客戶(hù)采用PlatNiStrip工藝后實(shí)現了器件性能的顯著(zhù)提高，不僅使表面電阻率得到了降低，而且分布更加緊密，該項工藝可以通過(guò)采用業(yè)界標準的化學(xué)品和在標準的ZETA 噴霧清洗系統上高性能價(jià)格比地實(shí)現。

ZETA 是專(zhuān)為前段(FEOL)和后段(BOEL)、90nm及以下、200/300mm 晶圓批量噴霧清洗而設計。該系統使用離心噴霧結合通用化學(xué)品輸送技術(shù)，可以以可控制的成分和溫度實(shí)現化學(xué)品的制備并直接配送到晶圓表面上。ZETA 系統已被證明應用范圍非常廣泛，包括自對準多晶硅化物結構的鈷和鎳刻蝕、光刻膠去除、灰化后清洗、非超聲波微粒去除和晶圓回收。