飛利浦稱(chēng)0.14微米嵌入式閃存/EEPROM量產(chǎn)

  　飛利浦日前宣布其0.18微米CMOS嵌入式閃存/EEPROM技術(shù)現已完全符合Grade-1汽車(chē)電子應用的需求，其0.14微米嵌入式閃存/EEPROM已開(kāi)始在位于荷蘭奈梅亨市的晶圓廠(chǎng)進(jìn)行量產(chǎn)，這也是飛利浦第二家符合這一工藝生產(chǎn)要求的工廠(chǎng)。

　　飛利浦稱(chēng)，嵌入式閃存和EEPROM存儲器已成為當今許多片上系統解決方案的一個(gè)重要組成部分。它不但提供了在生產(chǎn)線(xiàn)上用不同的軟件對這些芯片進(jìn)行編程或進(jìn)行現場(chǎng)軟件升級的能力，還實(shí)現了對重要的本地數據例如PIN密碼或地址簿信息的存儲，并且可以在設備斷電的時(shí)候保留這些數據。典型的應用包括手機、電視機、MP3播放器和智能卡、以及電線(xiàn)驅動(dòng)的汽車(chē)電子系統。

　　飛利浦半導體嵌入式存儲器技術(shù)戰略規劃經(jīng)理Frans List表示：“新的以及已經(jīng)問(wèn)世的片上系統解決方案所具有的向更先進(jìn)的處理工藝發(fā)展的能力不應該因為缺乏合適的嵌入式存儲器選擇而受到阻礙。通過(guò)開(kāi)發(fā)為嵌入到高性能CMOS工藝而優(yōu)化的低功耗非易失性技術(shù)，我們有信心我們的閃存和EEPROM解決方案能夠在未來(lái)至少兩代CMOS處理技術(shù)中具有競爭力?！?

　　Gartner Dataquest半導體研究副總裁Mike Williams表示：“對于下一代汽車(chē)電子應用而言，大量的市場(chǎng)將要求整體價(jià)格的降低和體積的減小，從而通過(guò)OEM模式來(lái)實(shí)現產(chǎn)品提升。飛利浦為嵌入式閃存和EEPROM開(kāi)發(fā)的工藝技術(shù)結合了低功耗和可擴展性，使得客戶(hù)能夠簡(jiǎn)化下一代設計平臺并取得顯著(zhù)的成本效益?！?

　　不同于絕大多數競爭對手的非易失性存儲器技術(shù)采用溝道熱電子(CHE)注入進(jìn)行存儲器單元編程以及富雷一諾特海姆式進(jìn)行隧穿及擦除，飛利浦的閃存/EEPROM技術(shù)在編程和擦除方面都采用了富雷一諾特海姆式隧穿。其存儲器單元低功耗的結果是飛利浦0.18微米閃存能夠完全符合Grade-1(125℃環(huán)境溫度)要求的原因之一。這使得這一工藝適用于實(shí)現飛利浦正在為汽車(chē)電子應用(例如支持FlexRay的電線(xiàn)驅動(dòng)的系統)開(kāi)發(fā)的強大的基于A(yíng)RM的微控制器。低功耗也是EEPROM技術(shù)高度適用于智能卡的原因，尤其是那些非接觸智能卡，它們需要從RF域獲取操作能源來(lái)進(jìn)行卡到讀卡器以及讀卡器到卡的通信。在這些應用中，超低功耗是一個(gè)非常重要的設計要求。

　　據介紹，飛利浦的0.14微米閃存/EEPROM現已在飛利浦設于奈梅亨的晶圓廠(chǎng)開(kāi)始量產(chǎn)，并用于包括飛利浦UOCIII超級單片(Ultimate One Chip)電視在內的應用中，它為設計者開(kāi)發(fā)了一個(gè)設計環(huán)境使得他們能夠將可擴展和不可擴展的IP集成到同一個(gè)芯片上。這一結果解決了不同IP塊(例如：閃存/EEPROM、模擬、SRAM和I/O塊)可擴展性不同的問(wèn)題。由此，設計者有了一個(gè)轉向同0.13微米CMOS相比更具成本優(yōu)勢的工藝，不需要承擔完全重新設計的風(fēng)險，并且沒(méi)有額外的銅線(xiàn)互連、193納米平板刻法和300納米晶圓處理的工藝復雜問(wèn)題。

　　還有一個(gè)優(yōu)勢是標稱(chēng)供應電壓維持在1.8伏。它不必像在標準0.13微米技術(shù)中那樣降到1.2伏特。因此，產(chǎn)品系列可以很容易得到擴充，而不必在產(chǎn)品規范中對供應電壓進(jìn)行變動(dòng)。

　　對于那些希望從可再編程代碼轉向固定代碼的客戶(hù)，飛利浦提供了一個(gè)“閃存到ROM”的轉換服務(wù)。這一服務(wù)也正處于實(shí)現符合0.14微米工藝汽車(chē)電子應用要求的過(guò)程中。飛利浦還開(kāi)發(fā)了一個(gè)16K字節的EEPROM塊，用于它的IP黃頁(yè)(IP Yellow Page)和Nx-Builder片上系統設計流程。這一存儲器塊能夠同閃存一起使用，從而增加字節寫(xiě)功能。