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在半導體工藝中許多器件的重要參數和性能都與薄層電阻有關(guān),為提高厚、薄膜集成電路和片式電阻的生產(chǎn),需要使用設備儀器如探針臺、激光調阻機對其進(jìn)行測試或修調。一般所用的測量?jì)x器或設備都包含連接、激勵、測量和顯示單元,有時(shí)還有后期數據處理單元。采用不同的測量方法和不同的連接方式引入的測量誤差不同得到的測量也不同。通常開(kāi)關(guān)矩陣中繼電器觸點(diǎn)閉合電阻為1Ω左右,FET開(kāi)關(guān)打開(kāi)時(shí)的電阻為十幾歐,引線(xiàn)電阻為幾百毫歐。如何根據需要減少測量誤差是測試技術(shù)的關(guān)鍵之一。
在半導體工藝中許多器件的重要參數和性能都與薄層電阻有關(guān),為提高厚、薄膜集成電路和片式電阻的生產(chǎn),需要使用設備儀器如探針臺、激光調阻機對其進(jìn)行測試或修調。一般所用的測量?jì)x器或設備都包含連接、激勵、測量和顯示單元,有時(shí)還有后期數據處理單元。采用不同的測量方法和不同的連接方式引入的測量誤差不同得到的測量也不同。通常開(kāi)關(guān)矩陣中繼電器觸點(diǎn)閉合電阻為1Ω左右,FET開(kāi)關(guān)打開(kāi)時(shí)的電阻為十幾歐,引線(xiàn)電阻為幾百毫歐。如何根據需要減少測量誤差是測試技術(shù)的關(guān)鍵之一。
摘要:本文提出指針式萬(wàn)用電表電阻測量電路的第一誤差(表頭制作誤差)和第二誤差(電路設計誤差)的概念。從制造和使用的角度出發(fā),分析造成誤差的原因和減小誤差的方法。尤其是糾正生產(chǎn)廠(chǎng)家在電阻測量技術(shù)規范中的錯誤概念,提出作者的建議。 引言 指針式萬(wàn)用電表或模擬式萬(wàn)用電表,雖然有被數字式萬(wàn)用電表取代之勢,但因其獨特優(yōu)點(diǎn):“便于觀(guān)察被測量連續變化,測量項目較多,操作簡(jiǎn)單,價(jià)格低廉,攜帶方便,是一種最普及、最常用的電測儀表”[1]。故目前在市場(chǎng)中仍占有相當大的份額,其用量亦相當