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2025瑞能半導體(大中國區)經(jīng)銷(xiāo)商大會(huì )舉行

  • 日前,2025瑞能半導體(大中國區)經(jīng)銷(xiāo)商大會(huì )在歷史與科技完美交融的西安隆重舉行。大會(huì )以“瑞光照芯力·能量啟未來(lái)”為主題,匯聚了瑞能半導體布局大中國區的長(cháng)期核心經(jīng)銷(xiāo)商伙伴。瑞能半導體總裁沈鑫和全球銷(xiāo)售&市場(chǎng)副總裁尹晨豐出席會(huì )議,與百余家瑞能半導體的戰略合作伙伴深入交流,全面展示了公司在消費電子、可再生能源、汽車(chē)電子、工業(yè)和大數據四大核心應用領(lǐng)域的技術(shù)創(chuàng )新與市場(chǎng)布局,共同探討功率半導體產(chǎn)業(yè)的發(fā)展機遇,凸顯了瑞能半導體在功率半導體領(lǐng)域的領(lǐng)先地位和未來(lái)發(fā)展規劃。瑞能半導體全球銷(xiāo)售&市場(chǎng)副總裁尹晨
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可控硅基礎及應用電路

  • 可控硅對于硬件工程師來(lái)說(shuō)是個(gè)重要的元器件,對于一個(gè)合格的硬件工程師來(lái)說(shuō),必須要掌握可控硅的電路設計??煽毓柙诟鱾€(gè)領(lǐng)域應用廣泛,常用來(lái)做各種大功率負載的開(kāi)關(guān)。相比繼電器,可控硅有很多優(yōu)勢,繼電器在開(kāi)關(guān)動(dòng)作時(shí)會(huì )產(chǎn)生電火花,在某些工業(yè)環(huán)境由于安全原因這是不允許的,繼電器在開(kāi)關(guān)動(dòng)作時(shí)觸點(diǎn)會(huì )發(fā)生氧化,影響繼電器壽命,而這些缺點(diǎn)可控硅都能避免??煽毓?Silicon Controlled Rectifier) 簡(jiǎn)稱(chēng)SCR,可控硅分單向可控硅和雙向可控硅兩種。雙向可控硅也叫三端雙向可控硅,簡(jiǎn)稱(chēng)TRIAC。雙向可控硅在結
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可控硅觸發(fā)電路原理,圖文+案例

  • 這次給大家講解一下可控硅觸發(fā)電路原理,常見(jiàn)的可控硅觸發(fā)電路??煽毓钖艠O觸發(fā)電路為了使使用可控硅(SCR)的電路正常運行,觸發(fā)電路應在準確的時(shí)間提供觸發(fā)信號,以確保在需要時(shí)開(kāi)啟。一般來(lái)說(shuō),用于觸發(fā)可控硅2SCR的觸發(fā)電路必須滿(mǎn)足以下標準:產(chǎn)生適當幅度和足夠短上升時(shí)間的柵極信號產(chǎn)生足夠持續時(shí)間的門(mén)信號在所需范圍內提供準確的射擊控制確保不會(huì )因錯誤信號或噪聲而觸發(fā)在A(yíng)C應用中,確保在可控硅SCR正向偏置時(shí)施加柵極信號在三相電路中,提供相對于參考點(diǎn)相距120確保同時(shí)觸發(fā)串聯(lián)或并聯(lián)連接的可控硅SCR通常使用三種基本類(lèi)
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晶閘管極性判斷,晶閘管怎么測好壞?這幾種方法你必須要會(huì )

  • 今天給大家講一下晶閘管(可控硅)怎么測好壞?在講晶閘管怎么測好壞之前,先給大家講一下晶閘管(可控硅)極性的判斷方法。晶閘管(可控硅)極性判斷的方法晶閘管(可控硅)極性的判斷方法--根據封裝形式(外觀(guān))普通晶閘管(可控硅)的極性可以根據其封裝形式來(lái)判斷。螺栓型普通晶閘管(可控硅)的螺栓端為陽(yáng)極A,較細的引線(xiàn)端為柵極G,較粗的引線(xiàn)端為陰極K。如下圖所示:螺栓型普通晶閘管極性判別圖扁平晶閘管的引線(xiàn)端為柵極G,扁平端為陽(yáng)極A,另一端為陰極K。如下圖所示:扁平晶閘管極性判別圖金屬封裝晶閘管(T0-3)是一種普通晶閘
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可控硅工作解析

  • 可控硅又叫晶閘管,和其它半導體器件一樣,具有體積小、效率高、穩定性好、工作可靠等優(yōu)點(diǎn)??煽毓枳鳛榉浅3墒斓陌雽w器件,從弱電到強調,消費電子到工業(yè)等都得到廣泛應用,可以作為整流、無(wú)觸點(diǎn)電路開(kāi)關(guān)以及逆變應用等,本章重點(diǎn)對于其結構以及等效電路展開(kāi)分析,有助于讀者加深對于可控硅產(chǎn)品的了解與認知??煽毓鑿碾姎夥柹舷啾扔诙O管多了一個(gè)門(mén)極引腳,從功能上來(lái)說(shuō)都屬于整流器,可控硅通過(guò)門(mén)極的控制可以實(shí)現導通角的調整。四層PN結的結合,可以拆成PNP三極管與NPN三極管復合結構,其中PNP的基極與NPN集電極連接,PNP
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帶有硅化物阻擋層的可控硅器件對維持電壓的影響*

  • 基于0.18 μm雙極CMOS-DMOS(BCD)工藝,研究并實(shí)現了一種陽(yáng)極和陰極兩側均加入硅化物阻擋層(SAB)的可控硅(SCR)器件,可用于高壓靜電放電保護(ESD)。利用二維器件仿真平臺和傳輸線(xiàn)脈沖測試系統(TLP),預測和驗證了SAB層對可控硅性能的影響。測量結果表明,在不增加器件面積的情況下,通過(guò)增加SAB層,器件的維持電壓(Vh)可以從3.03 V提高到15.03 V。與傳統SCR器件相比,帶有SAB層的SCR器件(SCR_SAB)具有更高的維持電壓。
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Littelfuse 高溫三端雙向可控硅可幫助設計師改善熱管理

  •   Littelfuse公司,今日宣布推出六個(gè)系列的高溫靈敏型、標準型和交變型三端雙向可控硅,可在由交流電壓高達220VRMS線(xiàn)路供電的電器和設備中用作半導體開(kāi)關(guān)。 這些組件采用緊湊型表面安裝式封裝,是業(yè)內首創(chuàng )、達到此最高溫度的三端雙向可控硅,額定電流可達4A、6A和8A。 通過(guò)結合節省空間的封裝、高溫性能和不同額定電流選擇,其非常適合需要緊湊設計但不存在連續高電流的物聯(lián)網(wǎng)(IoT)應用,例如智能門(mén)鈴、溫控器、吊扇/燈、門(mén)鎖等?! 「邷厝穗p向可控硅  靈敏型組件可保證在第一象限和第四象限的電流門(mén)極控制較
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巧用萬(wàn)用表測量單雙向可控硅

  • 萬(wàn)用表在電子電路設計領(lǐng)域中的用途非常廣泛,不僅能夠用來(lái)測試陰極陽(yáng)極,還能對可控硅進(jìn)行測量,在本篇文章當中,小編就將為大家介紹如何使用萬(wàn)用表來(lái)
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三種常見(jiàn)光電耦合器運行講解

  • 作為在近幾年當中迅速崛起的一種半導體光電器件,光電耦合器擁有很多優(yōu)點(diǎn),比如體積小、壽命長(cháng),能在干擾較強的環(huán)境下工作等。因此,光電耦合器開(kāi)始被
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兩種可控硅整流器的運行原理簡(jiǎn)析

  • 在平時(shí)的工作中,可控硅整流器作為一種常用到的重要元件,在工程師們的設計方案中出現頻率是很高的。其中,6脈沖可控硅整流器和12脈沖可控硅整流器都非
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一種基于單片機的可控硅觸發(fā)器設計

  • 可控硅觸發(fā)器作為一種比較常見(jiàn)的重要電子配件,在一些數字控制以及通訊領(lǐng)域的應用比較多。在今天的方案分享中,我們將會(huì )為大家分享一種基于單片機的可
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以光電耦合器為基礎的可控硅開(kāi)關(guān)電源

  • 光電耦合器能夠以光為媒介,將光能與電能進(jìn)行互相轉換。隨著(zhù)近年來(lái)太陽(yáng)能這一清潔能源的發(fā)展,光電耦合器在電子電路設計中也開(kāi)始越來(lái)越受到重視。本文
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你知道嗎?過(guò)零檢測對可控硅調光的意義

  • 過(guò)零檢測在開(kāi)關(guān)電源電路中通常是被用來(lái)進(jìn)行電路或者頻率檢測用。而在可控硅調光電路中,過(guò)零檢測的作用同樣重要。那么在可控硅調光中過(guò)零檢測的目的是
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深入解析 是什么讓可控硅元件失控?

  • 可控硅作為一種電子電路中常見(jiàn)的元件,是很多工程師們都熟悉的元件之一。在平時(shí)的應用過(guò)程中,可控硅有時(shí)會(huì )因為某些原因失去控制,那么導致可控硅失去
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可控硅光控開(kāi)關(guān)電路設計方案分享

  • 可控硅開(kāi)關(guān)電路是工程師們在平時(shí)的設計過(guò)程中,常常用到的一種電路結構,其設計相對簡(jiǎn)單且適用范圍廣泛的優(yōu)勢,讓這種開(kāi)關(guān)電路廣受好評。在今天的電路
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