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亞微米CMOS電路中VDD-VSSESD保護結構設計（二）
- 3 仿真分析及具體設計結果3.1 仿真分析在亞微米的ESD結構的設計中，一種常見(jiàn)的具體的ESD瞬態(tài)檢測電壓如圖2 VDD-VSS間的電壓鉗位結構。其原理如下：主要利用結構中的RC延遲作用，一般T=RC被設計為100ns-1000ns之間，而
- 關(guān)鍵字： VDD-VSSESD CMOS 亞微米 電路
亞微米CMOS電路中VDD-VSSESD保護結構設計
- 1 引言ESD(Electric Static Discharge)保護結構的有效設計是CMOS集成電路可靠性設計的重要任務(wù)之一，其ESD結構與工藝技術(shù)、特征尺寸密切相關(guān)，隨著(zhù)IC工藝技術(shù)的進(jìn)一步發(fā)展，特征尺寸越來(lái)越小，管子的柵氧層厚度越來(lái)越
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AB類(lèi)功率放大器驅動(dòng)電路的研究與設計
- 1 AB類(lèi)功放驅動(dòng)電路設計目標 在實(shí)用電路中，往往要求放大電路的末級(即輸出級)輸出一定的功率，以驅動(dòng)負載。能夠向負載提供足夠信號功率的放大電路稱(chēng)為功率放大電路，簡(jiǎn)稱(chēng)功放。經(jīng)典功率放大器有4種類(lèi)型：A類(lèi)，AB類(lèi)，B類(lèi)和C類(lèi)，他們的主要差別在于偏置的情況不同。理想的4類(lèi)經(jīng)典放大器的最大效率的理論值與導通角的函數關(guān)系如圖1所示。 A類(lèi)功率放
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