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PWM應用中的低電壓反饋
- 2004年6月A版 就低電壓高電流電源應用而言，開(kāi)關(guān)式電源柵極驅動(dòng)要求特別重要。由于幾個(gè) MOSFET 器件通常并聯(lián)以滿(mǎn)足特定設計的高電流規范要求，因此單一集成電路控制器與驅動(dòng)器解決方案就變的不再可行。MOSFET 并聯(lián)可降低漏極到源極的導通電阻，并減少傳導損耗。但是，隨著(zhù)并聯(lián)器件的增多，柵極充電的要求也迅速提高。由于 MOSFET 的內部阻抗大大低于驅動(dòng)級，因此與驅動(dòng)并聯(lián)組合相關(guān)的大多數功率損耗，其形式都表現為控制器集成電路的散熱。因此，許多單片解決方案的驅動(dòng)級由于并聯(lián)組合的關(guān)系都無(wú)法有效地滿(mǎn)足
- 關(guān)鍵字： PWM 模擬IC 電源
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