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5G中F-OFDM調制的FPGA實(shí)現

  • 針對5G系統大帶寬下F-OFDM調制急劇增加運算量,提出了一種適用于FPGA實(shí)現的F-OFDM調制方法,使運算量只有原來(lái)的子帶寬數分之一,滿(mǎn)足5G系統對F-OFDM信號產(chǎn)生的低延時(shí)要求,可用于5G系統物理層信號發(fā)生單元,以及5G測試的信號源中。
  • 關(guān)鍵字: 5G  F-OFDM  子載波映射  CP  201711  

利用F-RAM?打造汽車(chē)安全氣囊應用

  • 未來(lái)幾年,汽車(chē)的安全系統將會(huì )變得更加復雜。本文將探討在這些系統中使用F-RAM非易失性存儲技術(shù)的主要技術(shù)優(yōu)勢。鐵電RAM(F-RAM)存儲器被
  • 關(guān)鍵字: F-RAM汽車(chē)安全氣  

車(chē)內Wi-Fi的過(guò)去與現在

  • 車(chē)內Wi-Fi近日已成熱點(diǎn)話(huà)題,主要車(chē)廠(chǎng)紛紛把它用于新款汽車(chē)之中。以前Wi-Fi是售后市場(chǎng)的配件,而現在車(chē)廠(chǎng)則宣稱(chēng)其是關(guān)鍵功能。過(guò)渡策略在美
  • 關(guān)鍵字: 車(chē)內Wi-F  

由V-F F-V變換器組成的高精度數字型停延表電路圖

1/f 噪聲――閃爍的燭光

  • 運算放大器的1/f (one-over-f)低頻區域噪聲好像有一些神秘。1/f噪聲也被稱(chēng)作閃爍噪聲, 像一道閃爍的燭光。在示波器上使用慢掃描來(lái)觀(guān)察1/f 噪聲可以看到一條漂移的基線(xiàn)(如圖1所示),因為高頻噪聲疊加在較大的低頻成
  • 關(guān)鍵字: 1/f  噪聲  模擬技術(shù)  

汽車(chē)用晶體振蕩子X(jué)RCGB-F-A系列

  • 1. 前言汽車(chē)電子控制即被稱(chēng)之為ADAS(高級駕駛輔助系統)的先進(jìn)駕駛支持系統近年來(lái)被逐漸放大了。ADAS使用了攝像頭和毫米波、紅外激光等,通過(guò)車(chē)輛周邊的感測來(lái)識別步行者或者其他車(chē)輛和路沿等并發(fā)出接近警報,通過(guò)制
  • 關(guān)鍵字: 汽車(chē)  XRCGB-F-A系列  ADAS  傳感器  

基于FPGA的高精度頻率電壓轉換系統設計實(shí)現

  • 摘要 設計了一種線(xiàn)性F/V轉換系統。傳感器輸出的脈沖頻率信號經(jīng)信號調理電路調理后輸入FPGA,FPGA測量脈沖信號的頻率,根據系統精度要求,需設計Q格式定點(diǎn)運算,測得的頻率經(jīng)FPGA定點(diǎn)運算后得到與頻率大小成線(xiàn)性關(guān)系
  • 關(guān)鍵字: F/V轉換  精度  FPGA  Q8定點(diǎn)運算  DAC7551  

基于T-F變換的多點(diǎn)流體溫度測量系統

  • 摘要:針對一般測溫方法在進(jìn)行流體多點(diǎn)溫度測量時(shí)存在系統復雜,準確度和速度難以兼顧的問(wèn)題,提出了一種基于溫度-頻率(T-F)變換的測量系統。該系統使用PIC18F6722單片機控制MOS管開(kāi)關(guān)陣列,使多個(gè)測點(diǎn)的熱敏電阻分別
  • 關(guān)鍵字: T-F  變換  多點(diǎn)  流體    

利用F-RAM打造汽車(chē)安全氣囊應用

  •   鐵電RAM(F-RAM)存儲器被用在一系列廣泛的應用中,其中包括工業(yè)控制系統、工業(yè)自動(dòng)化、任務(wù)關(guān)鍵型應用和汽車(chē)系統等。未來(lái)幾年,汽車(chē)的安全系統將會(huì )變得更加復雜。推動(dòng)該趨勢的一個(gè)主要動(dòng)力是預期的監管措施,它們將對汽車(chē)安全氣囊和穩定控制系統的配售率和成熟度產(chǎn)生影響。本文探討在這些系統中使用F-RAM非易失性存儲技術(shù)的主要技術(shù)優(yōu)勢。   “安全氣囊系統”正在發(fā)生兩大變化。首先,所有新型安全氣囊都配有一個(gè)智能傳感器,用于檢測車(chē)內是否有乘客。安全氣囊的每一次誤彈出都會(huì )導致極高的更換成本
  • 關(guān)鍵字: 賽普拉斯  F-RAM  

Ramtron推出飛思卡爾Tower System一起使用的F-RAM

  • 通過(guò)在基于飛思卡爾系統的解決方案中采用F-RAM存儲器快速構建原型,新增模塊化平臺可加快開(kāi)發(fā)速度世界領(lǐng)先的非易失性鐵電隨機存取存儲器(F-RAM)和
  • 關(guān)鍵字: Ramtron  F-RAM存儲器模塊  

串并口F-RAMW系列存儲器

  • 世界領(lǐng)先的低功耗鐵電存儲器(F-RAM)和集成半導體產(chǎn)品開(kāi)發(fā)商及供應商Ramtron International Corporation (簡(jiǎn)稱(chēng)Ramtron)發(fā)布W系列 F-RAM存儲器,W系列器件帶有串口I2C
  • 關(guān)鍵字: F-RAM  存儲器  Ramtron  FM24W256  

賽普拉斯為其領(lǐng)先業(yè)界的F-RAM和nvSRAM產(chǎn)品組合提供晶圓銷(xiāo)售支持

  •   賽普拉斯半導體公司(納斯達克股票交易代碼:CY)宣布其領(lǐng)先業(yè)界的非易失性隨機存取存儲器((NVRAM)產(chǎn)品組合新增晶圓產(chǎn)品。賽普拉斯的NVRAM產(chǎn)品組合包括鐵電RAM(F-RAM™)和非易失性靜態(tài)RAM(nvSRAM),可在斷電時(shí)為重要數據提供可靠保護。很多關(guān)鍵任務(wù)應用除了需要F-RAM和nvSRAM的獨特優(yōu)勢之外,還需要能夠實(shí)現小巧、獨特封裝選項的裸片。有關(guān)賽普拉斯的NVRAM產(chǎn)品組合的更多信息,敬請訪(fǎng)問(wèn):http://www.cypress.com/nonvolatile。   賽普
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電源控制芯片廠(chǎng)F-矽力展開(kāi)并購

  •   電源控制芯片廠(chǎng)F-矽力去年營(yíng)收直逼47億元,再創(chuàng )歷史新高,加上去年底已向美商Maxim Integrated(美信)購買(mǎi)智慧電表與能源監控業(yè)務(wù)部門(mén),預期對第2季業(yè)績(jì)貢獻顯著(zhù),營(yíng)運可望再上層樓,今年開(kāi)春以來(lái)股價(jià)上漲逾14%,上周五(8 日)漲7.5元,收388元,受全球股災影響不大。   F-矽力是一家陸資企業(yè),產(chǎn)品以電源控制芯片為主,終端應用包括LED照明、消費性電子及網(wǎng)路 通訊產(chǎn)品等,公司董事長(cháng)兼總經(jīng)理陳偉為中國大陸海歸派精英之一,他的第一份工作是在美國太空總署(NASA)從事研發(fā),后來(lái)轉到美國民
  • 關(guān)鍵字: F-矽力  美信  

首屆5G算法創(chuàng )新大賽:F-OFDM賽事評述

  •   萬(wàn)物互聯(lián)的5G定位,如圖1所示的5G總體愿景,帶來(lái)了一系列需要解決的重大技術(shù)難題。比如,如何支持擁有大量連接數的物聯(lián)網(wǎng)應用,如何支持對時(shí)延和可靠性要求極高的車(chē)聯(lián)網(wǎng)業(yè)務(wù),如何支持內容越來(lái)越多樣速率越來(lái)越高的智能手機業(yè)務(wù)。為了全面實(shí)現5G預期的各項指標和功能,5G關(guān)鍵技術(shù)的研究正如火如荼的開(kāi)展著(zhù)。   圖表 1:5G總體愿景(IMT2020)   就在這時(shí),由Altera、西安電子科技大學(xué)、友晶科技主辦,華為、英特爾、展訊通信贊助的第一屆5G算法創(chuàng )新大賽應運而生了。我有幸作為三大算法的評委之一參與
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電壓/電流與電壓/頻率轉換電路(V/I、V/F電路)

  •   1電壓/電流轉換電路   電壓/電流轉換即V/I轉換,是將輸入的電壓信號轉換成滿(mǎn)足一定關(guān)系的電流信號,轉換后的電流相當一個(gè)輸出可調的恒流源,其輸出電流應能夠保持穩定而不會(huì )隨負載的變化而變化。V/I轉換原理如圖1。        由圖1可見(jiàn),電路中的主要元件為一運算放大器LM324和三極管BG9013及其他輔助元件構成,V0為偏置電壓,Vin為輸入電壓即待轉換電壓,R為負載電阻。其中運算放大器起比較器作用,將正相端電壓輸入信號與反相端電壓V-進(jìn)行比較,經(jīng)運算放大器放大后再經(jīng)三極管放
  • 關(guān)鍵字: V/I  V/F  
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