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51單片機片外擴展RAM

  • 一.概述普通51單片機可以片外擴展ROM和RAM各64K字節的空間,在實(shí)際應用中很少擴展外部ROM,一般都是擴展RAM,因 ...
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使用LX9開(kāi)發(fā)板對兼容ARM9處理器的開(kāi)源軟核進(jìn)行Dhrystone Benchmark測試(下)

  • 我們把EN_KEY引入設計中,讓它連接入處理器內核的cpu_en輸入端口中。接下來(lái),用一個(gè)計數器作為IRQ輸入中斷的觸發(fā)源。我們知道進(jìn)行Dhrystone benchmark測試時(shí),必須有一個(gè)實(shí)時(shí)時(shí)鐘來(lái)讓程序知道完成dhrystone運算花了多長(cháng)時(shí)間。
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使用LX9開(kāi)發(fā)板對兼容ARM9處理器的開(kāi)源軟核進(jìn)行Dhrystone Benchmark測試(上)

  • LX9開(kāi)發(fā)板由安富利設計生產(chǎn),體積小,便于攜帶。一端是普通的USB接口,可以插入筆記本或臺式機,用ISE編程,下載到FPGA上。另外,為了便于調試,在另外一端也配備了USB的Type B接口,通過(guò)連接線(xiàn),連到電腦后,可以實(shí)現USB轉串口的功能。
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基于Xilinx Spantan 3E的瞬態(tài)響應測試儀系統

  • 根據設計要求,整體方案規劃為:EXCD-1可編程片上系統開(kāi)發(fā)板、動(dòng)態(tài)顯示模塊、D/A模塊、A/D模塊、調理電路、按鍵輸入模塊及二階系統網(wǎng)絡(luò )。為了實(shí)現各個(gè)模塊的功能,我們分別進(jìn)行了方案設計與論證。
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賽普拉斯推出快速寫(xiě)入非易失性存儲器

  •   賽普拉斯半導體公司日前宣布,該公司在其產(chǎn)品系列中整合了Ramtron International的鐵電隨機存取存儲器(F-RAM)產(chǎn)品,提供了市場(chǎng)上最豐富的快速寫(xiě)入非易失性存儲器容量范圍選擇。F-RAM是業(yè)界最低功耗的非易失性存儲器,為賽普拉斯全球速度最快的非易失性靜態(tài)隨機存取存儲器提供了有效補充。這種全新組合能夠充分滿(mǎn)足大量不同應用對于斷電時(shí)保存數據的需求。賽普拉斯的nvSRAM和Ramtron F-RAM產(chǎn)品總共的全球出貨量已超過(guò)10億。   賽普拉斯于2012年11月20日正式完成Ramtro
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開(kāi)發(fā)51單片機操作系統應注意的問(wèn)題

  • (1)操作系統軟件的代碼不能太長(cháng)因為51系列單片機的系統硬件資源相對匱乏,如果操作系統的代碼比應用程序的代 ...
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宸鴻看好單片式觸控兼備其它觸控方案

  •   F-TPK宸鴻光電科技財務(wù)長(cháng)劉詩(shī)亮表示,各品牌客戶(hù)對觸控面板需求不同,但宸鴻看好單片式觸控,也針對各種觸控方桉都有準備。他說(shuō),宸鴻轉投資達鴻擴增4.5代新產(chǎn)線(xiàn),以生產(chǎn)單片玻璃觸控感應器,預計明年第3季量產(chǎn),主要供應筆電用觸控感應器。   劉詩(shī)亮指出,各種品牌客戶(hù)對觸控面板需求不同,宸鴻積極發(fā)展單片玻璃觸控面板,包括先切割好再鍍感應原料,將觸控感應器做在保護玻璃(TOL)的單片式玻璃方桉,以及轉投資達鴻 生產(chǎn),先鍍感應原料,再切割的單片玻璃觸控方桉(OGS)。   他進(jìn)一步指出,達鴻以生產(chǎn)前段觸控感
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FPGA中嵌入式塊RAM(BRAM)

  • 大多數FPGA都具有內嵌的塊RAM,這大大拓展了FPGA的應用范圍和靈活性。塊RAM可被配置為單端口RAM、雙端口RAM、內容地址存儲器 (CAM)以及FIFO等常用存儲結構。RAM、FIFO是比較普及的概念,在此就不冗述。CAM存儲器在其
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51單片機:比較2個(gè)有符號數的大小

  • 題目:設內部RAM從30H,31H單元中存放有兩個(gè)有符號數,試比較它們的大小,將較小的數存放在30H單元,較大的數存放在31 ...
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電機數字控制平臺方案設計

  • 摘要:直接轉矩控制目前已經(jīng)應用到同步機和異步機的各種控制系統中,由于其采用BangBang控制,長(cháng)控制周期將導致...
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Ramtron推出F-RAM存儲器模塊

  • 世界領(lǐng)先的非易失性鐵電隨機存取存儲器(F-RAM)和集成半導體產(chǎn)品開(kāi)發(fā)商及供應商Ramtron International Corporation (簡(jiǎn)稱(chēng)Ramtron)宣布,現已提供可與飛思卡爾半導體公司廣受歡迎的Tower System開(kāi)發(fā)平臺共用的全新F-RAM存儲器模塊(TWR-FRAM)。
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ulink-Jlink下在ram和flash中調試STM32的方法

  • ulink-Jlink下在ram和flash中調試STM32的方法,Keil MDK3.20 在ULINK下調試stm32方法1. 程序在RAM中運行要點(diǎn):(1)程序的下載地址改到RAM空間中(2)程序的debug之前要設定SP,PC指針到Ram空間新建工程,選擇STM32 的具體型號,我買(mǎi)的萬(wàn)利的開(kāi)發(fā)板,選擇stm32f103Vb。
  • 關(guān)鍵字: STM32  方法  調試  flash  下在  ram  ulink-Jlink  

NEC的擴展RAM和CODE BANK在IAR的設置和使用

  • NEC的擴展RAM和CODE BANK在IAR的設置和使用,NEC的8位單片機有很多型號具有內部擴展RAM和額外代碼段,在IAR中如何使用呢,一直沒(méi)有資料說(shuō)明,特將它整理后放于此文。擴展RAM:變量申明方法如下:#pragma dataseg=IXRAM /*use external RAM*/__no_init unsigned
  • 關(guān)鍵字: IAR  設置  使用  BANK  CODE  擴展  RAM  NEC  

LPC2378中使用USB和以太網(wǎng)的RAM

  • LPC2378中使用USB和以太網(wǎng)的RAM,LPC2378內部有58KBRAM由內部32KBRAM、8KB USB RAM、16KB以太網(wǎng)RAM 和2KB RTC RAM組成。2KB 的RTC BATTERY RAM 沒(méi)有測試,我想應該也可以直接使用。對于USB和以太網(wǎng)的RAM,只需經(jīng)如下操作即可使用。1、將功耗管理寄存
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電子式電能表使用鐵電存儲器(F-RAM)的緣由

  • 電子式電能表使用鐵電存儲器(F-RAM)的緣由,自從1889年匈牙利工程師 Otto Blathy 發(fā)明全世界第一個(gè)電能表 (瓦特瓦時(shí)表)原型之后,電能表經(jīng)過(guò)一個(gè)世紀多的演進(jìn):由機械式電表到今日的各種不同型式的電子電能表,包含新的預付費電能表 (pre-paid) 復費率電能表 以
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f-ram介紹

非易失性鐵電存儲器 F-RAM廣泛用于計量、計算、工業(yè)、科研和醫療領(lǐng)域的各種要求嚴苛的場(chǎng)合。F-RAM的獨特性質(zhì),使它特別適合用于廣范的關(guān)鍵性任務(wù)諸如:電信應用(比如橋接、路由器和電信交換機) 和要求高可靠性和可用性的工業(yè)應用中 [ 查看詳細 ]

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