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asm-51 文章 進(jìn)入asm-51技術(shù)社區
ASM高級技術(shù)產(chǎn)品經(jīng)理Mohith Verghese談CMOS面臨的關(guān)鍵挑戰
- 高介電常數(High-k) 金屬閘極應用于先進(jìn)互補式金氧半導體(CMOS) 技術(shù)的關(guān)鍵挑戰是什么? 高介電常數/金屬閘極(HKMG) 技術(shù)的引進(jìn)是用來(lái)解決標準SiO2/SiON 閘極介電質(zhì)縮減所存在的問(wèn)題。雖然使用高介電常數介電質(zhì)能夠持續縮減等效氧化物厚度(EOT),整合這些材料需對NMOS及PMOS 元件采用不同的金屬閘極。為了以最低臨界電壓(從而為最低功率)操作元件,NMOS元件必須使用低工作函數金屬而PMOS 元件則必須使用高工作函數金屬。即便有許多種金屬可供挑選,但其中僅有少數具有穩定的
- 關(guān)鍵字: ASM CMOS
關(guān)于51精確延時(shí)及keil仿真延時(shí)時(shí)間
- 有時(shí)候需要精確的延時(shí),比如18B20溫度傳感器對時(shí)序要求非常嚴格,必須精確到微秒級別一、用NOP函數在keil C51 ...
- 關(guān)鍵字: 51 精確延時(shí) keil 仿真延時(shí)時(shí)間
asm-51介紹
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