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sic肖特基勢壘二極管
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東芝推出第3代650V SiC肖特基勢壘二極管，助力提高工業(yè)設備效率
- 中國上海，2023年7月13日——東芝電子元件及存儲裝置株式會(huì )社（“東芝”）今日宣布，推出最新一代[1]用于工業(yè)設備的碳化硅（SiC）肖特基勢壘二極管（SBDs）——“TRSxxx65H系列”。首批12款產(chǎn)品（均為650V）中有7款產(chǎn)品采用TO-220-2L封裝，其余5款采用DFN8×8封裝，于今日開(kāi)始支持批量出貨。 新產(chǎn)品在第3代SiC SBD芯片中使用了一種新金屬，優(yōu)化了第2代產(chǎn)品的結勢壘肖特基（JBS）結構[2]。它們實(shí)現業(yè)界領(lǐng)先[3]的1.2V（典型值）低正向電壓，比上一代的1.45V（
- 關(guān)鍵字： 東芝 SiC肖特基勢壘二極管
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sic肖特基勢壘二極管介紹
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