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借助高能效GaN轉換器，提高充電器和適配器設計的功率密度
- 英飛凌科技首席應用工程師Zhong Fang Wang、英飛凌科技高級主任應用工程師Matt Yang 如今，充電器和適配器應用最常用的功率轉換器拓撲是準諧振（QR）反激式拓撲，因為它結構簡(jiǎn)單、控制簡(jiǎn)便、物料（BOM）成本較低，并可通過(guò)波谷切換工作實(shí)現高能效。然而，與工作頻率密切相關(guān)的開(kāi)關(guān)損耗和變壓器漏感能量損耗，限制了QR反激式轉換器的最大開(kāi)關(guān)頻率，從而限制了功率密度?！ ≡赒R反激式轉換器中采用GaN HEMT和平面變壓器，有助于提高開(kāi)關(guān)頻率和功率密度。然而，為了在超薄充電器和適配器設計中實(shí)現更
- 關(guān)鍵字： 英飛凌 GaN轉換器
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