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日本礙子開(kāi)發(fā)出可使LED發(fā)光效率提高1倍的GaN晶圓
- 日本礙子稱(chēng)，開(kāi)發(fā)出了可將LED光源的發(fā)光效率提高1倍的GaN(氮化鎵)晶圓。該晶圓在生長(cháng)GaN單結晶體時(shí)采用自主開(kāi)發(fā)的液相生長(cháng)法，在整個(gè)晶圓表面實(shí)現低缺陷密度的同時(shí)獲得了無(wú)色透明特性。 日本礙子在其他研究機構的協(xié)助下，在開(kāi)發(fā)出來(lái)的GaN晶圓上制造了LED元件，并進(jìn)行了發(fā)光性能試驗，結果表明，該LED元件的內部量子效率達到約90%(注入電流200mA時(shí))。據日本礙子介紹，市售LED元件的內部量子效率為30～40%(注入電流200mA時(shí))，照此計算，利用新開(kāi)發(fā)的晶圓制造的LED元件，其內部量子效率提
- 關(guān)鍵字： LED GaN晶圓
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gan晶圓介紹
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