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利用無(wú)機空穴傳輸層提高Cu?SrSnS?太陽(yáng)能電池的性能
- CdTe 和 CIGSe 等薄膜太陽(yáng)能電池因其低生產(chǎn)成本和出色的功率轉換效率 （PCE） 而受到廣泛關(guān)注。然而，組成元素的毒性和稀缺性限制了它們的廣泛使用。近日，Cu2SrSnS4半導體因其卓越的吸收特性（包括無(wú)毒、地球豐度、可調帶隙等）而成為一種潛在的替代品。但是，它仍處于新興階段，PCE 僅為 0.6%，這表明它需要顯著(zhù)增強才能與傳統太陽(yáng)能電池競爭。開(kāi)路電壓大 （VOC （英超頻）） 損耗會(huì )限制其性能，這主要源于與傳輸層的頻帶對齊不當。發(fā)現理想的設備配置是增強其 PCE 的最佳解決方案。最近，SCAP
- 關(guān)鍵字： 無(wú)機空穴 傳輸層 Cu?SrSnS? 太陽(yáng)能電池
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