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物理學(xué)家發(fā)現未來(lái)奈米晶片設計大障礙
- 一群來(lái)自加拿大麥基爾大學(xué)(McGillUniversity)的物理學(xué)家們證實(shí)，當導線(xiàn)是由兩種不同的金屬組成時(shí)，電流有可能會(huì )大幅度降低;這意味著(zhù)未來(lái)的半導體設計可能遇到障礙。 上述研究人員是與美國汽車(chē)大廠(chǎng)通用(GM)研發(fā)部門(mén)共同合作，發(fā)現讓人驚訝的電流遽降現象;顯示在新興的納米電子領(lǐng)域，材料的選擇與元件設計可能會(huì )成為一大挑戰。隨著(zhù)半導體元件尺寸持續微縮，未來(lái)晶片的設計工程師將需要了解，當金屬導線(xiàn)直徑被局限到僅有數個(gè)原子寬時(shí)，電荷的行為模式是如何變化。 麥基爾大學(xué)物理學(xué)教授PeterGrutt
- 關(guān)鍵字： 麥基爾 半導體 納米
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