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高級保護
高級保護 文章 進(jìn)入高級保護技術(shù)社區
通過(guò)集成驅動(dòng)器和高級保護功能簡(jiǎn)化GaN電源設計
- 高效率和高功率密度是為當今產(chǎn)品設計電源時(shí)的關(guān)鍵特性。為了實(shí)現這些目標,開(kāi)發(fā)人員正在轉向氮化鎵 (GaN),這是一種可實(shí)現高開(kāi)關(guān)頻率的寬帶隙半導體技術(shù)。與競爭對手的功率半導體技術(shù)相比,GaN 最大限度地減少了所需無(wú)源元件的尺寸,同時(shí)降低了柵極驅動(dòng)和反向恢復損耗。此外,半導體制造商正在將其 GaN 器件封裝在高度集成的行業(yè)標準封裝中,從而縮小印刷電路板 (PCB) 的占地面積要求,同時(shí)簡(jiǎn)化供應鏈。GaN 應用在 650 V AC-DC 轉換領(lǐng)域,變壓器外形無(wú)鉛 (TOLL) 封裝是電源設計的有效選擇。采用此封
- 關(guān)鍵字: 集成驅動(dòng)器 高級保護 GaN 電源設計
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高級保護介紹
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