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高溫柵極驅動(dòng)器
高溫柵極驅動(dòng)器 文章 進(jìn)入高溫柵極驅動(dòng)器技術(shù)社區
CISSOID發(fā)布最新工業(yè)和汽車(chē)級碳化硅功率模塊高溫柵極驅動(dòng)器創(chuàng )新成果
- 中國北京，2019年7月16日–各行業(yè)所需高溫半導體解決方案的領(lǐng)導者CISSOID今日宣布，公司將在7月17日 – 20日于北京舉行的“第二屆亞太碳化硅及相關(guān)材料國際會(huì )議”上，發(fā)表題為“一種用于工業(yè)和汽車(chē)級碳化硅MOSFET功率模塊的高溫柵極驅動(dòng)器”的論文，并介紹公司在該領(lǐng)域的最新研究開(kāi)發(fā)成果。CISSOID首席技術(shù)官Pierre Delatte將于19日在該會(huì )議上發(fā)表該文章。當今，碳化硅（SiC）在汽車(chē)制造商的大力追捧下方興未艾，碳化硅技術(shù)可以提供更高的能效和增加功率密度；在工業(yè)應用方面，越來(lái)越多的人則
- 關(guān)鍵字： CISSOID 碳化硅 功率模塊 高溫柵極驅動(dòng)器
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高溫柵極驅動(dòng)器介紹
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