高密度存算一體化非易失性鐵電單晶疇壁存儲器 文章 進(jìn)入高密度存算一體化非易失性鐵電單晶疇壁存儲器技術(shù)社區

復旦微電子學(xué)院研制出高密度存算一體化非易失性鐵電單晶疇壁存儲器和晶體管

• 自戈登·摩爾提出至今，摩爾定律已持續發(fā)展半個(gè)多世紀，芯片集成度不斷提高，性能不斷提升。然而如今器件特征尺寸不斷縮小，特別是接近納米尺度的量級時(shí)，出現量子尺寸效應、界面效應、短溝道效應等問(wèn)題，影響了器件性能。根據國際半導體技術(shù)藍圖預測，對于5nm以下技術(shù)節點(diǎn)工藝，現有存儲技術(shù)將不能滿(mǎn)足芯片高性能、低功耗的要求。因此，高密度、低功耗的新型存儲器亟待開(kāi)發(fā)。當前計算機架構基于“馮?諾依曼”體系，計算與存儲相互分離，二者間的數據反復交換和速度差異占據了大量冗余時(shí)間，被稱(chēng)為“存儲墻”，直接導致整個(gè)芯片系統運算速度下降
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