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非晶態(tài)半導體
非晶態(tài)半導體 文章 進(jìn)入非晶態(tài)半導體技術(shù)社區
非晶態(tài)半導體的閾值開(kāi)關(guān)機理
- 非晶態(tài)半導體閾值開(kāi)關(guān)器件是指往復開(kāi)關(guān)多次不會(huì )破壞的器件。這種器件的I-V曲線(xiàn)如圖1所示，當電壓超過(guò)閾值Vei時(shí)，器件進(jìn)行開(kāi)關(guān)(Switch)。但在“關(guān)態(tài)”(OFF state)與“開(kāi)態(tài)”(ON state)之間無(wú)穩定的操作點(diǎn)，電流降至維持電流In以下，器件即轉到原始狀態(tài)。 ? 一般觀(guān)察的結果表明，非晶半導體閾值開(kāi)關(guān)器件受破壞的原因，多半是由于電極與半導體合金化，引起了大量的電子遷移，導致非晶態(tài)半導體分相或部分分相。所以多數器件失效的原因
- 關(guān)鍵字： 非晶態(tài)半導體 電子開(kāi)關(guān)
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非晶態(tài)半導體介紹
具有半導體性質(zhì)的非晶態(tài)材料。非晶態(tài)半導體是半導體的一個(gè)重要部分。50年代B.T.科洛米耶茨等人開(kāi)始了對硫系玻璃的研究，當時(shí)很少有人注意，直到1968年S.R.奧弗申斯基關(guān)于用硫系薄膜制作開(kāi)關(guān)器件的專(zhuān)利發(fā)表以后，才引起人們對非晶態(tài)半導體的興趣。1975年W.E.斯皮爾等人在硅烷輝光放電分解制備的非晶硅中實(shí)現了摻雜效應,使控制電導和制造PN結成為可能,從而為非晶硅材料的應用開(kāi)辟了廣闊的前景。在理論 [ 查看詳細 ]
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