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霍耳效應
霍耳效應 文章 進(jìn)入霍耳效應技術(shù)社區
基于霍耳效應的電機控制芯片設計
- 摘要：本文論述了基于霍耳效應傳感芯片的電路設計，并以0.5μm, 雙層金屬，65V高壓CMOS工藝實(shí)現。電路實(shí)現了包括磁滯，防相位鎖死與自動(dòng)重啟動(dòng)等功能，采用脈沖寬度調制控制方式，并注意了功率輸出管的電壓鉗位，以及減少尖峰電流的發(fā)生。 關(guān)鍵詞：霍耳效應；電機控制；自動(dòng)重啟；脈沖寬度調制 1879年，霍耳發(fā)現：沿x方向流過(guò)的電流受到其垂直方向（z方向）的磁場(chǎng)作用時(shí)，帶電離子會(huì )受到y方向的磁力影響而產(chǎn)生電勢積累，這就是霍耳效應。其中產(chǎn)生的電勢差稱(chēng)為霍耳電壓。由于變化的磁場(chǎng)會(huì )產(chǎn)生變化的電場(chǎng)，那么，
- 關(guān)鍵字： 霍耳效應 電機控制
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霍耳效應介紹
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