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雪崩失效
雪崩失效 文章 進(jìn)入雪崩失效技術(shù)社區
什么是雪崩失效
- 當向MOSFET施加高于絕對最大額定值BVDSS的電壓時(shí)，就會(huì )發(fā)生擊穿。當施加高于BVDSS的高電場(chǎng)時(shí)，自由電子被加速并帶有很大的能量。這會(huì )導致碰撞電離，從而產(chǎn)生電子-空穴對。這種電子-空穴對呈雪崩式增加的現象稱(chēng)為“雪崩擊穿”。在這種雪崩擊穿期間，與 MOSFET內部二極管電流呈反方向流動(dòng)的電流稱(chēng)為“雪崩電流IAS”，參見(jiàn)下圖（1）。MOSFET的失效機理本文的關(guān)鍵要點(diǎn)? 當向MOSFET施加高于絕對最大額定值BVDSS的電壓時(shí)，會(huì )造成擊穿并引發(fā)雪崩擊穿。? 發(fā)生雪崩擊穿時(shí)，會(huì )流過(guò)大電流，存在MOSFET
- 關(guān)鍵字： 羅姆半導體 雪崩失效
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雪崩失效介紹
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