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美國可替代CMOS器件的低功耗隧道晶體管

• 　　一種新型晶體管使更快、更低功耗的計算器件成為可能，可用于類(lèi)似敏捷傳感器網(wǎng)絡(luò )、植入式醫療電子技術(shù)和高機動(dòng)式計算等能量受限領(lǐng)域。近帶隙隧道場(chǎng)效應晶體這種新型器件采用量子機制，電子遂穿超薄能量勢壘，可以低電壓產(chǎn)生高電流。 　　賓夕法尼亞州立大學(xué)、美國國家標準技術(shù)研究院以及專(zhuān)業(yè)晶片制造商IQE公司在國際電子器件會(huì )議(IEDM)上聯(lián)合宣布了這一發(fā)現。IEDM會(huì )議匯集了全部來(lái)自主要芯片公司的代表，是一個(gè)廣受認可的論壇，用于報告半導體和電子技術(shù)方面取得的突破性進(jìn)展。 　　芯片制造商正在尋找繼續縮小晶體管
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