EEPW首頁(yè) >>
主題列表 >>
降低開(kāi)關(guān)損耗
降低開(kāi)關(guān)損耗 文章 進(jìn)入降低開(kāi)關(guān)損耗技術(shù)社區
東芝推出用于工業(yè)設備的第3代碳化硅MOSFET,采用可降低開(kāi)關(guān)損耗的4引腳封裝
- 東芝電子元件及存儲裝置株式會(huì )社（“東芝”）近日宣布，推出采用有助于降低開(kāi)關(guān)損耗的4引腳TO-247-4L(X)封裝的碳化硅（SiC）MOSFET---“TWxxxZxxxC系列”，該產(chǎn)品采用東芝最新的[1]第3代碳化硅MOSFET芯片，用于支持工業(yè)設備應用。該系列中五款額定電壓為650V，另外五款額定電壓為1200V，十款產(chǎn)品于今日開(kāi)始批量出貨。新產(chǎn)品是東芝碳化硅MOSFET產(chǎn)品線(xiàn)中首批采用4引腳TO-247-4L(X)封裝的產(chǎn)品，其封裝支持柵極驅動(dòng)信號源極端使用開(kāi)爾文連接，有助于減少封裝內源極線(xiàn)電感的影
- 關(guān)鍵字： 東芝 碳化硅MOSFET 降低開(kāi)關(guān)損耗
| 共1條 1/1 1 |
降低開(kāi)關(guān)損耗介紹
您好，目前還沒(méi)有人創(chuàng )建詞條降低開(kāi)關(guān)損耗!
歡迎您創(chuàng )建該詞條，闡述對降低開(kāi)關(guān)損耗的理解，并與今后在此搜索降低開(kāi)關(guān)損耗的朋友們分享。 創(chuàng )建詞條
歡迎您創(chuàng )建該詞條，闡述對降低開(kāi)關(guān)損耗的理解，并與今后在此搜索降低開(kāi)關(guān)損耗的朋友們分享。 創(chuàng )建詞條
關(guān)于我們 -
廣告服務(wù) -
企業(yè)會(huì )員服務(wù) -
網(wǎng)站地圖 -
聯(lián)系我們 -
征稿 -
友情鏈接 -
手機EEPW
Copyright ?2000-2015 ELECTRONIC ENGINEERING & PRODUCT WORLD. All rights reserved.
《電子產(chǎn)品世界》雜志社 版權所有 北京東曉國際技術(shù)信息咨詢(xún)有限公司
京ICP備12027778號-2 北京市公安局備案：1101082052 京公網(wǎng)安備11010802012473
Copyright ?2000-2015 ELECTRONIC ENGINEERING & PRODUCT WORLD. All rights reserved.
《電子產(chǎn)品世界》雜志社 版權所有 北京東曉國際技術(shù)信息咨詢(xún)有限公司
京ICP備12027778號-2 北京市公安局備案：1101082052 京公網(wǎng)安備11010802012473