阻變存儲器文章進(jìn)入阻變存儲器技術(shù)社區

全球首款28nm嵌入式RRAM畫(huà)質(zhì)調節芯片正式量產(chǎn)

據北京亦莊官微消息，近日，由北京顯芯科技有限公司（以下簡(jiǎn)稱(chēng)“顯芯科技”）參與研制的全球首款28nm內嵌RRAM（阻變存儲器）畫(huà)質(zhì)調節芯片在京量產(chǎn)，并成功應用于國內頭部客戶(hù)的Mini LED高端系列電視中，標志著(zhù)我國顯示類(lèi)芯片達到新的半導體工藝高度。據相關(guān)負責人介紹，當前全球半導體頂尖工藝已經(jīng)來(lái)到2nm時(shí)代，但對于半導體顯示來(lái)說(shuō)，綜合考慮成本問(wèn)題，28nm是目前國內工藝的天花板。畫(huà)質(zhì)調節芯片要求集成各種補償算法，開(kāi)發(fā)難度高，制造要求先進(jìn)邏輯制程，是顯示芯片品類(lèi)國產(chǎn)化率最低的產(chǎn)品之一。為推動(dòng)中國芯片國產(chǎn)化進(jìn)展
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最新阻變存儲器RRAM技術(shù)可在單芯片中存下1TB數據

　　阻變存儲器RAM(RRAM)是一種可以用于PC和移動(dòng)設備的內部存儲器，相比現在的閃存，它的速度快上許多，讀寫(xiě)時(shí)還非常節能。今天，加州一家技術(shù)公司Crossbar宣布研發(fā)出全新電阻式RAM技術(shù)，可以在一顆比郵票還小的單芯片中存下1TB的數據，這意味著(zhù)未來(lái)電子產(chǎn)品的存儲密度將極大地提高，同時(shí)RRAM的寫(xiě)入性能比目前最好的NAND芯片還快上20倍，讀寫(xiě)時(shí)的功率僅為1/20。　　取決于不同的設備，RRAM可以將設備電池壽命延長(cháng)數周、數月甚至數年，使用壽命也10倍于NAND，可以說(shuō)是一種完美的高速存儲器。C
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阻變存儲器介紹

　　阻變式存儲器(resistive random access memory,RRAM)是以材料的電阻在外加電場(chǎng)作用下可在高阻態(tài)和低阻態(tài)之間實(shí)現可逆轉換為基礎的一類(lèi)前瞻性下一代非揮發(fā)存儲器.它具有在32nm節點(diǎn)及以下取代現有主流Flash存儲器的潛力,成為目前新型存儲器的一個(gè)重要研究方向?！　D1是RRAM器件典型的“三明治”(MIM)結構示意圖,其上下電極之間是能夠發(fā)生電阻轉變的阻變層材料。在 [ 查看詳細 ]

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全球首款28nm嵌入式RRAM畫(huà)質(zhì)調節芯片正式量產(chǎn)

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