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銦鎵砷雪崩光電二極管
銦鎵砷雪崩光電二極管 文章 進(jìn)入銦鎵砷雪崩光電二極管技術(shù)社區
理解并緩解InGaAs雪崩光電二極管（APDs）的溫度效應
- InGaAs（銦鎵砷）雪崩光電二極管（APD）是一種利用InGaAs半導體材料特性的光電探測器，主要用于檢測紅外光譜中的光信號。APD通過(guò)一種稱(chēng)為雪崩倍增的內部增益機制將光信號轉換為電信號，從而放大微弱的光信號。這使得它們具有高靈敏度，適用于需要檢測低光強的場(chǎng)合。InGaAs APD由多層結構組成（見(jiàn)圖1），通常包括一個(gè)InGaAs吸收層和一個(gè)由不同材料（如AlGaAsSb）制成的倍增層，該材料與InP襯底晶格匹配。吸收層是光子被吸收并產(chǎn)生電子-空穴對的地方。InGaAs APD的工藝結構圖1. InGa
- 關(guān)鍵字： 銦鎵砷雪崩光電二極管 二極管
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銦鎵砷雪崩光電二極管介紹
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