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遷移率
遷移率介紹
遷移率
在電場(chǎng)作用下，半導體中的載流子作定向漂移運動(dòng),由此形成的電流稱(chēng)為漂移電流。在電場(chǎng)強度不太大時(shí)，電子和空穴移動(dòng)的速度（也稱(chēng)漂移速度）vn、vp與電場(chǎng)強度E成正比，可表示為
vn=－mnE 或vp=mpE
式中，mn為電子遷移率；mp為空穴遷移率。遷移率m是單位電場(chǎng)強度引起的載流子的平均漂移速度，其數值與半導體的材料、摻雜濃度、溫度等有關(guān)。在室溫300K時(shí)，硅材料的mn =0.13 [ 查看詳細 ]
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