EEPW首頁(yè) >>
主題列表 >>
超共源共柵
超共源共柵 文章 進(jìn)入超共源共柵技術(shù)社區
超共源共柵簡(jiǎn)史
- 盡管寬帶隙半導體已在功率開(kāi)關(guān)應用中略有小成，但在由 IGBT 占主導的高電壓/高功率領(lǐng)域仍未有建樹(shù)。然而，使用 SiC FET 的 “超共源共柵” 將打破現有局面。讓我們一起來(lái)了解超共源共柵的歷史，并探討如何將其重新用于優(yōu)化現代設計。這篇博客文章最初由 United Silicon Carbide (UnitedSiC) 發(fā)布，該公司于 2021 年 11 月加入 Qorvo 大家庭。UnitedSiC 是一家領(lǐng)先的碳化硅 (SiC) 功率半導體制造商，它的加入促使 Qorvo 將業(yè)務(wù)擴展到電動(dòng)汽車(chē) (E
- 關(guān)鍵字： Qorvo 超共源共柵
| 共1條 1/1 1 |
超共源共柵介紹
您好，目前還沒(méi)有人創(chuàng )建詞條超共源共柵!
歡迎您創(chuàng )建該詞條，闡述對超共源共柵的理解，并與今后在此搜索超共源共柵的朋友們分享。 創(chuàng )建詞條
歡迎您創(chuàng )建該詞條，闡述對超共源共柵的理解，并與今后在此搜索超共源共柵的朋友們分享。 創(chuàng )建詞條
關(guān)于我們 -
廣告服務(wù) -
企業(yè)會(huì )員服務(wù) -
網(wǎng)站地圖 -
聯(lián)系我們 -
征稿 -
友情鏈接 -
手機EEPW
Copyright ?2000-2015 ELECTRONIC ENGINEERING & PRODUCT WORLD. All rights reserved.
《電子產(chǎn)品世界》雜志社 版權所有 北京東曉國際技術(shù)信息咨詢(xún)有限公司
京ICP備12027778號-2 北京市公安局備案：1101082052 京公網(wǎng)安備11010802012473
Copyright ?2000-2015 ELECTRONIC ENGINEERING & PRODUCT WORLD. All rights reserved.
《電子產(chǎn)品世界》雜志社 版權所有 北京東曉國際技術(shù)信息咨詢(xún)有限公司
京ICP備12027778號-2 北京市公安局備案：1101082052 京公網(wǎng)安備11010802012473