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超低電壓
超低電壓 文章 進(jìn)入超低電壓技術(shù)社區
功耗降十倍 ULV制程催生下世代物聯(lián)網(wǎng)SoC
- 超低電壓(ULV)制程將成物聯(lián)網(wǎng)發(fā)展的關(guān)鍵技術(shù)。半導體廠(chǎng)除加緊投入先進(jìn)奈米制程外,亦已積極開(kāi)發(fā)超低電壓制程;相較于現今電壓約1伏特(V)的標準制程,超低電壓制程可降至0.7或0.3~0.4伏特,讓系統單晶片(SoC)動(dòng)態(tài)功耗縮減一半甚至十分之一,以滿(mǎn)足物聯(lián)網(wǎng)應用對更低耗電量的要求。 工研院資通所生醫與工業(yè)積體電路技術(shù)組低功耗混合訊號部組長(cháng)朱元華表示,面對物聯(lián)網(wǎng)裝置設計挑戰,半導體業(yè)者正積極開(kāi)發(fā)新一代極低功耗的SoC,以發(fā)揮系統電源最大利用率。由于晶片動(dòng)態(tài)功耗與其工作頻率、電壓平方值息息相關(guān),因此
- 關(guān)鍵字: 超低電壓 物聯(lián)網(wǎng) SoC
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超低電壓介紹
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