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誤觸發(fā)
誤觸發(fā) 文章 進(jìn)入誤觸發(fā)技術(shù)社區
關(guān)于半橋電路中抗dv/dt噪聲干擾的安全工作區分析及其解決方案
- 王定良（電子科技大學(xué) 電子科學(xué)與工程學(xué)院，四川 成都 610054） 摘? 要：作為電機驅動(dòng)電路的智能功率模塊（IPM）正變得越來(lái)越重要，但是越來(lái)越快的開(kāi)關(guān)速度，可能會(huì )引起IPM模塊中的IGBT的誤觸發(fā)。另外，過(guò)高的dV/dt也會(huì )在IGBT關(guān)斷狀態(tài)下產(chǎn)生雪崩擊穿。本文結合半橋電路的寄生參數模型，完善傳統公式的推導?；趯脚cIGBT擎住現象的分析，并結合IGBT的安全工作區提出了一種根據dv/dt的大小來(lái)動(dòng)態(tài)擴展IGBT安全工作區的電路結構，改善了傳統半橋電路工作時(shí)的可靠性?！ ￡P(guān)鍵詞：IGBT；
- 關(guān)鍵字： 202002 IGBT 誤觸發(fā) dV/dt 可靠性
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誤觸發(fā)介紹
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