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背照技術(shù)
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X-FAB引入圖像傳感器背照技術(shù)增強CMOS傳感器性能
- 全球公認的卓越的模擬/混合信號晶圓代工廠(chǎng)X-FAB Silicon Foundries（“X-FAB”）近日宣布，其光學(xué)傳感器產(chǎn)品平臺再添新成員——為滿(mǎn)足新一代圖像傳感器性能的要求，X-FAB現已在其備受歡迎的CMOS傳感器工藝平臺XS018（180納米）上開(kāi)放了背照（BSI）功能。BSI工藝截面示意圖通過(guò)BSI工藝，成像感光像素性能將得到大幅增強。這一技術(shù)使得每個(gè)像素點(diǎn)接收到的入射光不會(huì )再被后端工藝的金屬層所遮擋，從而大幅提升傳感器的填充比，最高可達100%。由于其能夠獲得更高的像素感光靈敏度，因而在暗
- 關(guān)鍵字： X-FAB 圖像傳感器 背照技術(shù) CMOS傳感器
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背照技術(shù)介紹
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