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絕緣體上硅
絕緣體上硅 文章 進(jìn)入絕緣體上硅技術(shù)社區
550V無(wú)電壓折回逆導型橫向絕緣柵雙極晶體管器件設計
- 逆導型橫向絕緣柵雙極晶體管（RC-LIGBT）由于高電流密度、小封裝成本等優(yōu)點(diǎn)，成為了功率器件領(lǐng)域內主流器件之一，然而其會(huì )受到電壓折回現象的不利影響。本文提出了一種基于絕緣體上硅技術(shù)的RCLIGBT器件，將續流二極管集成在位于埋氧層下的襯底，利用埋氧層的隔離特性實(shí)現了IGBT與續流二極管之間的電學(xué)隔離，進(jìn)而實(shí)現了完全消除電壓折回現象。
- 關(guān)鍵字： 逆導型橫向絕緣柵雙極晶體管 電壓折回現象 絕緣體上硅 導通壓降 關(guān)斷損耗 202009
一種增大質(zhì)量塊的三軸MEMS加速度計的設計
- 馮?堃，張國俊，王姝婭，戴麗萍，鐘志親（電子科技大學(xué)?電子科學(xué)與工程學(xué)院，成都611731） 摘?要：介紹了一種增大質(zhì)量塊設計的三軸MEMS加速度計。該加速度計基于絕緣體上硅（SOI）硅片，采用雙面光刻、干法刻蝕的工藝，利用了部分SOI硅片的底層硅部分來(lái)增大加速度計的質(zhì)量塊，設計了基于單一米字形質(zhì)量塊的三軸MEMS電容式微加速度計。根據不同的外界加速度對器件產(chǎn)生的不同位移，研究了在三個(gè)軸向的加速度計的靈敏度，同時(shí)分析了加速度計的交叉軸耦合的影響。最后結合Ansys仿真結果得出：所設計的微加速度計具有
- 關(guān)鍵字： 202005 微機械系統 三微加速度計 高靈敏度 絕緣體上硅
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