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結電容
結電容 文章 進(jìn)入結電容技術(shù)社區
結電容對功率MOSFET關(guān)斷特性的影響分析
- 摘 要：為了分析功率MOSFET關(guān)斷特性，本文基于結電容的概念探討了功率MOSFET關(guān)斷過(guò)程的機理并推導 了數學(xué)模型，表明了MOSFET關(guān)斷過(guò)程存在“柵控”和“容控”兩種控制模式；建立了功率MOSFET的Spice模 型，仿真結果對數學(xué)模型進(jìn)行了驗證；設計了雙脈沖實(shí)驗，實(shí)驗結果與模型和仿真結果一致。研究結論有助于 器件設計優(yōu)化和應用改善。關(guān)鍵詞：關(guān)斷特性；結電容；Spice模型；雙脈沖1 引言功率 MOSFET(metal-oxide-semiconductor field-effect tran
- 關(guān)鍵字： 202210 關(guān)斷特性 結電容 Spice模型 雙脈沖
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結電容介紹
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