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功率器件熱設計基礎（十）——功率半導體器件的結構函數

  • / 前言 /功率半導體熱設計是實(shí)現IGBT、碳化硅SiC高功率密度的基礎，只有掌握功率半導體的熱設計基礎知識，才能完成精確熱設計，提高功率器件的利用率，降低系統成本，并保證系統的可靠性。功率器件熱設計基礎系列文章會(huì )比較系統地講解熱設計基礎知識，相關(guān)標準和工程測量方法。為什么引入結構函數？在功率器件的熱設計基礎系列文章 《功率半導體殼溫和散熱器溫度定義和測試方法》 和 《功率半導體芯片溫度和測試方法》 分別講了功率半導體結溫、芯片溫度、殼溫和散熱器溫度的測試方法，用的
  • 關(guān)鍵字： 英飛凌  功率器件  熱設計  結構函數  
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結構函數介紹

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