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結型場(chǎng)效應晶體管
結型場(chǎng)效應晶體管 文章 進(jìn)入結型場(chǎng)效應晶體管技術(shù)社區
垂直GaN JFET的動(dòng)態(tài)性能
- 美國弗吉尼亞理工學(xué)院、州立大學(xué)和NexGen電力系統公司首次對垂直氮化鎵（GaN）功率晶體管的動(dòng)態(tài)電阻（?RON）和閾值電壓（VTH）穩定性進(jìn)行了實(shí)驗表征。研究人員研究了額定電壓高達1200V（1.2kV）的NexGen結型場(chǎng)效應晶體管（JFET）器件。動(dòng)態(tài)?RON描述了開(kāi)關(guān)晶體管的電阻相對于穩定直流狀態(tài)下的電阻的增加。該團隊評論道：“這個(gè)問(wèn)題可能會(huì )導致器件的導通損耗增加，并縮短器件在應用中的壽命?！毖芯咳藛T將NexGen的650V/200mΩ和1200V/70mΩ級GaN JFET（
- 關(guān)鍵字： 氮化鎵 結型場(chǎng)效應晶體管
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結型場(chǎng)效應晶體管介紹
結型場(chǎng)效應晶體管 利用場(chǎng)效應原理工作的晶體管，簡(jiǎn)稱(chēng)FET。場(chǎng)效應就是改變外加垂直于半導體表面上電場(chǎng)的方向或大小，以控制半導體導電層（溝道）中的多數載流子的密度或類(lèi)型。這種晶體管的工作原理與雙極型晶體管不同，它是由電壓調制溝道中的電流，其工作電流是由半導體中的多數載流子輸運，少數載流子實(shí)際上沒(méi)有作用。這類(lèi)只有一種極性載流子參加導電的晶體管又稱(chēng)單極晶體管。 1925～1926年美國的J.E.里林 [ 查看詳細 ]
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