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級聯(lián)共源共柵
級聯(lián)共源共柵 文章 進(jìn)入級聯(lián)共源共柵技術(shù)社區
東芝級聯(lián)共源共柵技術(shù)解決GaN應用痛點(diǎn)
- 受訪(fǎng)人：黃文源 東芝電子元件（上海）有限公司半導體技術(shù)統括部技術(shù)企劃部高級經(jīng)理1.氮化鎵和碳化硅同屬第三代半導體，在材料特性上有什么相似之處和不同之處？根據其不同的特性，分別適用在哪些應用領(lǐng)域？貴公司目前在SiC和GaN兩種材料的半導體器件方面都有哪些主要的產(chǎn)品？ 回答：自從半導體產(chǎn)品面世以來(lái)，硅一直是半導體世界的代名詞。但是，近些年，隨著(zhù)化合物半導體的出現，這種情況正在被逐漸改變。通常，半導體業(yè)界將硅（Si）作為第一代半導體的代表，將砷化鎵(GaAs)、銻化銦(InSb)作為第二代半導體的
- 關(guān)鍵字： 東芝 GaN 級聯(lián)共源共柵
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級聯(lián)共源共柵介紹
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