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第四代半導體
第四代半導體 文章 進(jìn)入第四代半導體技術(shù)社區
中國科研團隊第四代半導體氧化鎵領(lǐng)域獲重要突破
- 近日，廈門(mén)大學(xué)電子科學(xué)與技術(shù)學(xué)院楊偉鋒教授團隊在第四代半導體氧化鎵（β-Ga2O3）外延生長(cháng)技術(shù)和日盲光電探測器制備方面取得重要進(jìn)展，為β-Ga2O3異質(zhì)外延薄膜的大面積生長(cháng)和高性能的器件應用提供了重要支持。β-Ga2O3材料因其本征日盲光吸收(254 nm)，簡(jiǎn)單二元組成，帶隙可調，制備工藝簡(jiǎn)單等優(yōu)勢在日盲光電探測器領(lǐng)域受到廣泛關(guān)注。在β-Ga2O3薄膜生長(cháng)方面，研究團隊利用分子束外延技術(shù)（MBE）實(shí)現了高質(zhì)量、低缺陷密度的外延薄膜生長(cháng)。并通過(guò)改變反應物前驅體和精密控制生長(cháng)參數，成功實(shí)現了β-Ga2O3
- 關(guān)鍵字： 第四代半導體 氧化鎵 科研
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第四代半導體介紹
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