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窄脈沖
窄脈沖 文章 進(jìn)入窄脈沖技術(shù)社區
IGBT窄脈沖現象解讀

- IGBT作為一種功率開(kāi)關(guān),從門(mén)級信號到器件開(kāi)關(guān)過(guò)程需要一定反應時(shí)間,就像生活中開(kāi)關(guān)門(mén)太快容易擠壓手一樣,過(guò)短的開(kāi)通脈沖可能會(huì )引起過(guò)高的電壓尖峰或者高頻震蕩問(wèn)題。這種現象隨著(zhù)IGBT被高頻PWM調制信號驅動(dòng)時(shí),時(shí)常會(huì )無(wú)奈發(fā)生,占空比越小越容易輸出窄脈沖,且IGBT反并聯(lián)續流二極管FWD在硬開(kāi)關(guān)續流時(shí)反向恢復特性也會(huì )變快。什么是窄脈沖現象IGBT作為一種功率開(kāi)關(guān),從門(mén)級信號到器件開(kāi)關(guān)過(guò)程需要一定反應時(shí)間,就像生活中開(kāi)關(guān)門(mén)太快容易擠壓手一樣,過(guò)短的開(kāi)通脈沖可能會(huì )引起過(guò)高的電壓尖峰或者高頻震蕩問(wèn)題。這種現象隨著(zhù)I
- 關(guān)鍵字: 英飛凌 IGBT 窄脈沖
一種基于DDS技術(shù)的電磁超聲激勵電源設計
- 關(guān)鍵字: 電磁超聲 直接數字合成技術(shù) 窄脈沖 阻抗匹配電路
一種基于DDS技術(shù)的電磁超聲激勵電源
- 關(guān)鍵字: 電磁超聲 直接數字合成技術(shù) 窄脈沖 阻抗匹配電路
超寬帶窄脈沖發(fā)射芯片及應用系統電路實(shí)現
- 摘 要:本文給出了一個(gè)基于自主知識產(chǎn)權芯片實(shí)現的超寬帶窄脈沖發(fā)射電路及測試結果,通過(guò)超低功耗單片機MSP430F123控制超寬帶脈沖發(fā)射機芯片,可實(shí)現高速率數據的無(wú)線(xiàn)發(fā)射,所采用的超寬帶發(fā)射機芯片基于0.18mm CMOS工藝設計和實(shí)現,能夠以0~800Mpps的脈沖重復頻率產(chǎn)生寬度約為500ps的超寬帶窄脈沖信號,經(jīng)過(guò)脈沖整形電路后,信號的頻譜在500MHz~1.5GHz之間,發(fā)射功率譜密度低于-41.3dBm/MHz。 關(guān)鍵詞:超寬帶;窄脈沖;射頻標簽;無(wú)線(xiàn)通信芯片 前言 超寬帶
- 關(guān)鍵字: 模擬技術(shù) 電源技術(shù) 超寬帶 窄脈沖 射頻標簽 IC 制造制程
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窄脈沖介紹
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歡迎您創(chuàng )建該詞條,闡述對窄脈沖的理解,并與今后在此搜索窄脈沖的朋友們分享。 創(chuàng )建詞條
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