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2.5D IC封裝超越摩爾定律，改變游戲規則

• 　　近日，有兩家公司同時(shí)發(fā)布了在芯片封裝方面的革命性突破：一個(gè)是意法半導體宣布將硅通孔技術(shù)(TSV)引入MEMS芯片量產(chǎn)，在意法半導體的多片MEMS產(chǎn)品(如智能傳感器、多軸慣性模塊)內，硅通孔技術(shù)以垂直短線(xiàn)方式取代傳統的芯片互連線(xiàn)方法(無(wú)需打線(xiàn)綁定)，在尺寸更小的產(chǎn)品內實(shí)現更高的集成度和性能。另一個(gè)則是賽靈思宣布通過(guò)堆疊硅片互聯(lián) (SSI) 技術(shù)，將四個(gè)不同 FPGA 芯片在無(wú)源硅中介層上并排互聯(lián)，結合TSV技術(shù)與微凸塊工藝，構建了相當于容量達2000萬(wàn)門(mén)ASIC的可編程邏輯器件。雖然同樣是基于TSV技術(shù)
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