硅基功率開(kāi)關(guān) 文章 進(jìn)入硅基功率開(kāi)關(guān)技術(shù)社區

硅基功率開(kāi)關(guān)已經(jīng)轉向GaN開(kāi)關(guān)了嗎？

• 在開(kāi)關(guān)模式電源中使用GaN開(kāi)關(guān)是一種相對較新的技術(shù)。這種技術(shù)有望提供更高效率、更高功率密度的電源。本文討論了該技術(shù)的準備情況，提到了所面臨的挑戰，并展望了GaN作為硅的替代方案在開(kāi)關(guān)模式電源中的未來(lái)前景。如今，電源管理設計工程師常常會(huì )問(wèn)道：現在應該從硅基功率開(kāi)關(guān)轉向GaN開(kāi)關(guān)了嗎？氮化鎵(GaN)技術(shù)相比傳統硅基MOSFET有許多優(yōu)勢。GaN是寬帶隙半導體，可以讓功率開(kāi)關(guān)在高溫下工作并實(shí)現高功率密度。這種材料的擊穿電壓較高，可適用于100 V以上的應用。而對于100 V以下的各種電源設計，GaN的高功率密
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