硅化物阻擋層（sab） 文章 進(jìn)入硅化物阻擋層（sab）技術(shù)社區

帶有硅化物阻擋層的可控硅器件對維持電壓的影響*

• 基于0.18 μm雙極CMOS-DMOS（BCD）工藝，研究并實(shí)現了一種陽(yáng)極和陰極兩側均加入硅化物阻擋層（SAB）的可控硅（SCR）器件，可用于高壓靜電放電保護（ESD）。利用二維器件仿真平臺和傳輸線(xiàn)脈沖測試系統（TLP），預測和驗證了SAB層對可控硅性能的影響。測量結果表明，在不增加器件面積的情況下，通過(guò)增加SAB層，器件的維持電壓（Vh）可以從3.03 V提高到15.03 V。與傳統SCR器件相比，帶有SAB層的SCR器件（SCR_SAB）具有更高的維持電壓。
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