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石墨炔新碳結構 有望顛覆硅芯片技術(shù)

• 在最新的一項研究中，研發(fā)出一種特殊的石墨炔轉化結構，這種轉化完全消除了石墨炔中所有的二配位乙炔碳，但保留了其層狀結構。轉化還改變了材料的能帶隙。這一發(fā)現可能為未來(lái)制造全碳電子芯片的技術(shù)鋪平道路，實(shí)現目前硅技術(shù)無(wú)法達到的性能。石墨炔是一種獨特的碳晶體結構，與鉆石和石墨截然不同。鉆石中每個(gè)碳原子有四個(gè)相鄰原子，石墨中則有三個(gè)，而石墨炔結合了二配位和三配位碳原子。根據計算機模型顯示，石墨炔具有極為吸引人的電子、機械和光學(xué)特性。它被預測為一種半導體，具有適用于電子設備的能帶隙，超高的電荷載子遷移率遠超硅，以及與石
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