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電源整流
電源整流 文章 進(jìn)入電源整流技術(shù)社區
基于Infineon S7 MOSFET 主動(dòng)式電源整流方案
- 因應日趨嚴苛的能源效率規范，特別是像server power的應用，從白金效率甚至是鈦金效率。Infineon推出全新S7系列MOSFET，提供在靜態(tài)切換的應用場(chǎng)合，減少功率損耗以提升效率，特別是針對高輸出功率的產(chǎn)品設計。S7系列MOSFET應用在active bridge目的在取代原有bridge diode以提升系統效率，與傳統bridge diode相比，在230Vac輸入時(shí)在50% load約可提高0.5%，而115Vac輸入時(shí)在50% load約可提高1%。利用JRC NJ393C OP比較器搭
- 關(guān)鍵字： Infineon S7 MOSFET 電源整流
意法半導體（ST）推出業(yè)內首款軟開(kāi)關(guān)非對稱(chēng)半橋拓撲集成控制器芯片
- 中國，2008年9月24日 – 電源整流和管理芯片的世界領(lǐng)先廠(chǎng)商意法半導體（紐約證券交易所代碼：STM）推出一款全新電源管理（PWM）控制器L6591，這是業(yè)內首款為零壓開(kāi)關(guān)非對稱(chēng)半橋拓撲電源轉換器專(zhuān)門(mén)優(yōu)化的控制器芯片。零壓開(kāi)關(guān)轉換器可以讓電源的尺寸變得更小，成本更低，不論是待機還是全負荷工作，能效得到顯著(zhù)提高，并降低熱量排放和功率損耗。 L6591用于離線(xiàn)電源，集成了控制軟開(kāi)關(guān)半橋轉換器所需的全部功能模塊。零壓開(kāi)關(guān)可消除導通開(kāi)關(guān)損耗，使EMI輻射降到最小限度，還實(shí)現了高達5
- 關(guān)鍵字： 意法半導體 電源整流 管理芯片
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電源整流介紹
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