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功率器件熱設計基礎(十三)——使用熱系數Ψth(j-top)獲取結溫信息
- 前言 /功率半導體熱設計是實(shí)現IGBT、碳化硅SiC高功率密度的基礎,只有掌握功率半導體的熱設計基礎知識,才能完成精確熱設計,提高功率器件的利用率,降低系統成本,并保證系統的可靠性。功率器件熱設計基礎系列文章會(huì )比較系統地講解熱設計基礎知識,相關(guān)標準和工程測量方法。驅動(dòng)IC電流越來(lái)越大,如采用DSO-8 300mil寬體封裝的EiceDRIVER? 1ED3241MC12H和1ED3251MC12H 2L-SRC緊湊型單通道隔離式柵極驅動(dòng)器,驅動(dòng)電流高達+/-18A,且具有兩級電壓變化率控制和有
- 關(guān)鍵字: 英飛凌 功率器件 熱設計 熱系數
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