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功率器件熱設計基礎（七）——熱等效模型

•  前言 /功率半導體熱設計是實(shí)現IGBT、SiC MOSFET高功率密度的基礎，只有掌握功率半導體的熱設計基礎知識，才能完成精確熱設計，提高功率器件的利用率，降低系統成本，并保證系統的可靠性。功率器件熱設計基礎系列文章會(huì )比較系統地講解熱設計基礎知識，相關(guān)標準和工程測量方法。有了熱阻熱容的概念，自然就會(huì )想到在導熱材料串并聯(lián)時(shí)，就可以用阻容網(wǎng)絡(luò )來(lái)描述。一個(gè)帶銅基板的模塊有7層材料構成，各層都有一定的熱阻和熱容，哪怕是散熱器，其本身也有熱阻和熱容。整個(gè)散熱通路還包括導熱脂、散熱器和環(huán)境。不同時(shí)間尺度下
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