源極底置 文章 進(jìn)入源極底置技術(shù)社區

英飛凌推出PQFN封裝、雙面散熱、25-150V OptiMOS?源極底置功率MOSFET

• 未來(lái)電力電子系統的設計將持續推進(jìn)，以實(shí)現最高水平的性能和功率密度。為順應這一發(fā)展趨勢，英飛凌科技有限公司近日推出了全新的3.3 x 3.3 mm2?PQFN 封裝的源極底置功率MOSFET，電壓范圍涵蓋25-150 V，并且有底部散熱（BSC）和雙面散熱（DSC）兩種不同的結構。該新產(chǎn)品系列在半導體器件級層面做出了重要的性能改進(jìn)，為DC-DC功率轉換提供了極具吸引力的解決方案，同時(shí)也為服務(wù)器、通信、OR-ing、電池保護、電動(dòng)工具以及充電器應用的系統創(chuàng )新開(kāi)辟了新的可能性。該新產(chǎn)品系列采用了英飛凌
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