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清純半導體
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清純半導體和微碧半導體推出第3代SiC MOSFET產(chǎn)品
- 近日，清純半導體和VBsemi（微碧半導體）分別推出了其第三代碳化硅（SiC）MOSFET產(chǎn)品平臺，標志著(zhù)功率半導體技術(shù)在快充效率、高功率密度應用等領(lǐng)域取得了重大突破。01清純半導體推出第3代SiC MOSFET產(chǎn)品平臺4月21日，清純半導體官微宣布，推出第3代碳化硅（SiC）MOSFET技術(shù)平臺，該平臺首款主驅芯片（型號：S3M008120BK）的常溫導通電阻低至8mΩ，比導通電阻系數Rsp達到2.1 mΩ·cm2，處于國際領(lǐng)先水平。source：清純半導體（圖為清純半導體1、2、3代產(chǎn)品比電阻Rs
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清純半導體介紹
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